Transistor MOSFET BSC027N10NS5

de potência

Descrição: Os MOSFETs BiC da Infineon em pacote SuperSO8 ampliam o portfólio de produtos OptiMOS™ 3 e 5 e permitem maior densidade de potência, além de maior robustez, respondendo à necessidade de menor custo do sistema e maior desempenho. A baixa carga de recuperação reversa (Qrr) melhora a confiabilidade do sistema, fornecendo uma redução significativa do excesso de tensão, o que minimiza a necessidade de circuitos snubber, resultando em menor custo e esforço de engenharia. Principais características O RDS(on) mais baixo permite maior densidade e eficiência de potência Temperatura nominal de operação mais alta de até 175°C para maior confiabilidade Baixo RthJC para excelente comportamento térmico Baixa carga de recuperação inversa (Qrr) Benefícios chave Temperatura de carga máxima mais baixa Menos paralelos Redução do overshoot Aumento da densidade de potência do sistema Menor tamanho Redução de custos do sistema Custos de engenharia e redução de esforço Aplicações de destino Servidor Telecomunicações Ferramentas eléctricas Motores de baixa tensão Aplicações de áudio de classe D