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Transistor MOSFET BSP170I
de potênciade comutaçãode avalanche

Transistor MOSFET - BSP170I - Infineon Technologies AG - de potência / de comutação / de avalanche
Transistor MOSFET - BSP170I - Infineon Technologies AG - de potência / de comutação / de avalanche
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Características

Tipo
MOSFET
Tipo
de potência, de comutação
Outras características
de avalanche
Corrente

-3,2 A

Tensão

-60 V

Descrição

Os MOSFETs de potência de canal P OptiMOS™ são ideais para aplicações de interruptores de carga, gestão de baterias e proteção contra polaridade inversa. A principal vantagem dos MOSFETs de potência de canal P OptiMOS™ é a simplificação da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua fácil interface com a unidade de microcontrolador (MCU), a comutação rápida e a resistência à avalanche tornam os MOSFETs de potência OptiMOS™ da Infineon adequados para aplicações que exigem alta qualidade. Características Baixa resistência em estado ligado 100% testados contra avalanche Nível lógico Revestimento de chumbo isento de Pb; em conformidade com a RoHS Qualificados para aplicações industriais Vantagens Interface fácil com a MCU Eficiência melhorada em cargas baixas Comutação rápida Resistência à avalanche A melhor qualidade e fiabilidade da sua classe

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Tradução automática  (ver texto original em inglês)

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