Transistor MOSFET BSS84I

de potênciade comutaçãode avalanche

Os MOSFETs de potência de canal P OptiMOS™ são ideais para aplicações de interruptores de carga, gestão de baterias e proteção contra polaridade inversa. A principal vantagem dos MOSFETs de potência de canal P OptiMOS™ é a simplificação da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua fácil interface com a unidade de microcontrolador (MCU), a comutação rápida e a resistência à avalanche tornam os MOSFETs de potência OptiMOS™ da Infineon adequados para aplicações que exigem alta qualidade. Características 100% testados contra avalanche Revestimento de chumbo sem Pb de nível lógico Revestimento dos terminais isento de chumbo; em conformidade com a RoHS Qualificados para aplicações industriais Vantagens Fácil interface com a MCU Eficiência melhorada em cargas baixas Comutação rápida Resistência à avalanche A melhor qualidade e fiabilidade da sua classe Resumo das características: Ampla gama de RDS(on) Disponibilidade em nível normal e nível lógico Vantagens: Interface fácil com o MCU Eficiência melhorada em cargas baixas devido ao baixo Qg Comutação rápida Resistência à avalanche Aplicações-alvo: Baterias Bens de consumo Automação industrial Acionamentos industriais