Transistor IGBT RGA60TS65HR
com transistor bipolar de porta isoladaIGBT em trincheirafield stop IGBT

Transistor IGBT - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - com transistor bipolar de porta isolada / IGBT em trincheira / field stop IGBT
Transistor IGBT - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - com transistor bipolar de porta isolada / IGBT em trincheira / field stop IGBT
Transistor IGBT - RGA60TS65HR - ROHM Semiconductor - com transistor bipolar de porta isolada / IGBT em trincheira / field stop IGBT - imagem - 2
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Características

Tipo
IGBT, com transistor bipolar de porta isolada, IGBT em trincheira, field stop IGBT
Tipo
de potência, de comutação
Outras características
em silício, para aplicações automotivas
Corrente

34 A

Tensão

650 V

Descrição

Visão geral
RGA60TS65HR é um IGBT de 4.ª geração 650V tipo field-stop trench, otimizado para sistemas auxiliares automotivos e inversores industriais. A estrutura do dispositivo e a terminação de borda foram revistas para aumentar a densidade de corrente e reduzir perdas de condução e de comutação, melhorando eficiência e confiabilidade. Atende ao padrão automotivo AEC-Q101 e assegura tempo de resistência a curto-circuito de 7 μs a Tj = 25°C.

Resumo do produto
IGBT de baixas perdas de comutação e condução, adequado para compressores elétricos, aquecedores HV e inversores industriais, equilibrando baixo consumo com alta tolerância a curto-circuitos.

Aplicações
  • Compressores elétricos automotivos
  • Aquecedores HV automotivos (PTC, aquecedores de fluido)
  • Inversores para equipamentos industriais


Características
  • Qualificado segundo AEC-Q101 (grau automotivo)
  • Tempo de resistência a curto-circuito (tsc): 7 μs
  • Baixa tensão de saturação coletor-emissor (baixo VCE(sat))
  • Perdas de comutação e condução reduzidas
  • Revestimento sem chumbo; conforme RoHS


Especificações
  • Número de peça: RGA60TS65HRC11
  • Série: A: For inverter (tsc 7-10 μs)
  • VCES (tensão nominal): 650 V
  • IC (100°C): 34 A
  • VCE(sat) (Typ.): 1,55 V
  • tf (Typ.): 82 ns
  • tsc (Min.): 7 μs
  • Pd: 170 W
  • BV(CES) (Min.): 650 V
  • Temperatura de armazenamento: -55 °C a 175 °C
  • Pacote: TO-247N
  • Tipo de embalagem: Tube
  • Quantidade por unidade: 450
  • Quantidade mínima por embalagem: 30
  • Tamanho do pacote: 21,0 x 16,0 mm (t = 5,2)
  • RoHS: Sim
  • Norma: AEC-Q101 (Automotive Grade)


Embalagem
Pacote padrão: TO-247N. Embalagem: tubo, quantidade padrão 450 unidades, quantidade mínima 30 unidades. Consulte desenhos mecânicos e de embalagem para manuseio e projeto térmico.

Contexto de desenvolvimento
Embora inversores de tração de alta tensão adotem cada vez mais SiC, IGBTs de 650V continuam comuns em sistemas auxiliares de menor potência. Este produto foi desenvolvido para atender à demanda por maior eficiência, menor tamanho e melhor tolerância a curtos-circuitos em aplicações automotivas e industriais.

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