Transistor IGBT RGW00TS65CHR
de comutaçãoem silíciopara aplicações automotivas

Transistor IGBT - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - de comutação / em silício / para aplicações automotivas
Transistor IGBT - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - de comutação / em silício / para aplicações automotivas
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de comutação
Outras características
em silício, para aplicações automotivas
Corrente

50 A

Tensão

650 V

Descrição

A série RGWxx65C é um IGBT de 650V com um díodo de barreira SiC schottky incorporado, o que reduz a perda de comutação de ligação. Este é um produto compatível com AEC-Q101. Pode ser utilizado com confiança mesmo em ambientes agressivos, tais como carregadores xEV a bordo, conversores DC/DC, condicionadores de energia solar, e UPS. AEC-Q101 Qualificado Colector baixo - Tensão de Saturação dos Emissores Baixa perda por comutação e comutação suave Construído sem recuperação SBD de carboneto de silício Pb - Chumbo complacente com RoHS

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Catálogos

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.