Transistor IGBT
de potência

Transistor IGBT - IXYS - de potência
Transistor IGBT - IXYS - de potência
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de potência

Descrição

Características: Paralelização fácil devido ao coeficiente de temperatura positivo da tensão do em-estado A extremo-luz áspera perfura completamente resultados do projeto (XPT™) em: - curto - circuito avaliado para 10µs. - carga muito baixa da porta - baixo IEM - áreas de funcionamento quadradas do cofre forte da polarização reversa (RBSOA) até tensões de avaria A tecnologia fina da bolacha combinou com os resultados do projeto do SPT em um baixo VCE do competidor (sentado) Diodo de SONIC-FRD™

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* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.