Visão geral
Experimente o mais inovador sistema de Deposição de Camada Atómica para revestimentos ópticos - o ALD 1200 da Leybold Optics. ALD Espacial com Plasma Avançado para películas ultra-uniformes de dupla face em substratos de até 8x ⌀300 mm. O sistema fornece revestimentos ultra-finos, densos e com controlo de tensão em substratos 3D microestruturados e curvos - dupla face numa única passagem. Com altas taxas de deposição em 8 substratos de até 300 mm, temperaturas de processo de 50-230°C e soluções de manuseio de wafer totalmente personalizáveis, ele combina a melhor conformidade da categoria com rendimento e limpeza de nível de semicondutor.
Principais benefícios
- Precisão em todas as superfícies: Revestimentos conformacionais ultrafinos em substratos 3D nanoestruturados e curvos
- Otimizado para alto rendimento: A separação espacial dos gases aumenta as taxas de crescimento; produção de vários wafer numa única execução
- Ajustado às suas necessidades: Revestimentos de dupla face sem inversão, reduzindo o tempo de ciclo e o risco de partículas
- Agilidade do material: Elevada flexibilidade do material com utilização eficiente de precursores para um escalonamento económico
- Monitorização ótica in-situ: Controlo de circuito fechado OMS 6000 para pilhas complexas de multicamadas com resultados repetíveis
- Integração total na fábrica: Manuseio automatizado de wafer SMIF e FOUP; compatível com SEMI S2/S8; compatível com SECS:GEM
Caraterísticas de destaque
- Altas taxas de deposição de até 0,5 nm/s em 8 substratos
- Formatos escaláveis até tamanhos de substrato de 300 mm; não uniformidades < ±1.0% em 300 mm
- Revestimentos de elevada conformação e neutros em termos de tensão
- Baixa temperatura de deposição assistida por plasma < 100°C para substratos sensíveis à temperatura
- Suporte para até 4 precursores diferentes
- Limpeza pronta para uso em laboratório com baixos níveis de partículas adaptados para ótica de precisão e linhas de semicondutores
- Sistema de monitorização ótica in-situ OMS 6000
Aplicações
O ALD 1200 é ideal para aplicações que requerem revestimentos ultra-uniformes e sem pinhole em estruturas complexas ou substratos 3D, tais como lentes altamente curvas e estruturas com elevado rácio de aspeto. As áreas de aplicação típicas incluem:
- Fabricação de semicondutores (máscaras rígidas, enchimento de trincheiras, óxidos de porta, encapsulamento)
- Ótica de precisão e integração fotónica (PICs, metassuperfícies, elementos ópticos difractivos)
- Sensoriamento (sensores de proximidade, imagem hiperespectral, LiDAR, CIS)
- Iluminação e ecrã (LED, microLED, VCSEL, OLED)
- Ciências da vida (microscopia, endoscopia)
- Ótica de consumo (lentes para smartphones e câmaras, óculos AR)
Processos de revestimento
- Filtros
- Espelhos
- Revestimentos AR
- Enchimento de trincheiras
- Revestimentos de barreira
- Óxidos de porta
Materiais (exemplos)
- SiO2 e vários materiais de óxido
- Grupo de materiais TCO e outros materiais a pedido
FAQ - É bom saber
- Quando usar ALD? Quando a qualidade ótica, a integridade da barreira e a uniformidade 3D são críticas. A ALD espacial melhorada por plasma produz filmes densos e neutros em termos de tensão a baixas temperaturas com um controlo de camadas preciso e repetível.
- Como funciona a ALD espacial? A ALD espacial deposita películas finas através da repetição de reacções superficiais auto-limitantes: os precursores são quimissorvidos no substrato, modificados na zona de plasma e depositados camada a camada para um controlo preciso da espessura e uma cobertura conforme.
- Benefícios em relação à pulverização/evaporação: A ALD proporciona uma conformação superior, películas sem orifícios e controlo de tensões em substratos 3D complexos.
Caraterísticas / especificações técnicas
- Modelo: ALD 1200 (Leybold Optics)
- Método de deposição: Plasma-Enhanced Spatial ALD, assistido por plasma, dupla face numa única passagem
- Capacidade de substrato: multi-wafer (até 8 substratos)
- Tamanho máximo de substrato suportado: Ø 300 mm
- Taxa de deposição: até 0,5 nm/s em 8 substratos
- Faixa de temperatura do processo: 50-230°C; opção de baixa temperatura assistida por plasma < 100°C para substratos sensíveis à temperatura
- Uniformidade de espessura: não uniformidades < ±1,0% em 300 mm (típico)
- Precursores: suporte para até 4 precursores diferentes
- Controlo: Monitorização ótica in-situ OMS 6000 para controlo em circuito fechado de pilhas multicamadas
- Limpeza: limpeza pronta para fabrico com baixos níveis de partículas adaptada para linhas de ótica de precisão e semicondutores
- Integração: Manuseamento automatizado de bolachas SMIF e FOUP; compatível com SEMI S2/S8; compatível com SECS:GEM
- Aplicações específicas: dispositivos semicondutores, ótica de precisão, integração fotónica, deteção, iluminação/exibição, ciências da vida, ótica de consumo