Testador de corrente de fuga M2 Wafer Edition

de tensãode alta tensãode impulso de corrente

Descrição curta
Solução de teste de alta tensão em wafer para dispositivos SiC e Si. M2 Wafer Edition integra um gerador CC de 10 kV para triagem precoce de die de potência de alta tensão em wafer antes da singulação, reduzindo o encapsulamento de peças defeituosas e acelerando a análise de rendimento.

Visão geral
A tecnologia SiC wide‑bandgap permite uma nova geração de dispositivos de potência de alta tensão para transporte, transmissão de energia e energias renováveis. M2 Wafer Edition realiza testes paramétricos e de stress até 10 kV em wafer para verificar ruptura, leakage e robustez antes do encapsulamento. A plataforma M2 é projetada para operação contínua 24/7 em produção: robusta, precisa e modular para suportar fabricação de alto volume e minimizar o tempo de inatividade. A arquitetura expansível permite adicionar capacidades de teste à medida que os requisitos do produto evoluem.

Razões

• Testar produtos de potência nas maiores tensões. Gerador CC de 10 kV para avaliar arquiteturas wide bandgap nos limites operacionais.
• Detectar defeitos precocemente. Cobertura de testes DC, UIS e Rg em wafer (variante Pro) identifica die defeituosos antes da singulação e do encapsulamento.
• Segurança e proteção. Probes de wafer e geradores de teste protegidos contra falhas por UIS através da tecnologia SocketSafe™.

Apresentação do produto — especificações (comparação de variantes)
CARACTERÍSTICAS / CONFIGURAÇÕES: Wafer UHV | Wafer UHV Pro

Número de locais de teste
Wafer UHV: 1 x site DC
Wafer UHV Pro: 1 x site combinado DC + Rg + UIS

Teste paramétrico DC
Ambas as variantes: 10 kV, 200 A (integrado)

Óxido de gate e qualidade
Wafer UHV: —
Wafer UHV Pro: Medição de resistência de gate e capacitância

UIS avalanche / qualidade do diodo de corpo
Wafer UHV: —
Wafer UHV Pro: 5 kV, 200 A carga indutiva unclamped (UIS)

Notas
A plataforma é modular e expansível; a variante UHV Pro integra testes combinados (DC, RG, UIS) em um único site para caracterizar precocemente a robustez do gate e do diodo de corpo no fluxo de fabricação.