as tecnologias e2v desenvolveram um Amplificador de Ruído de Banda X de Muito Baixo Ruído, com um isolador integral, para aplicações de Receptor de Radar.
Uma novela em linha guia de onda a transição de microestreia é usada para dar um formato axial à entrada e saída.
A cadeia de amplificadores utiliza estágios de semicondutores bem caracterizados e comprovadamente discretos: o estágio de amplificador de entrada é unidirecional e projetado com dispositivos HEMT de baixo ruído; os estágios de saída utilizam GaAsFETs de média potência em um estágio equilibrado.
---