Díodo Schottky SR, MBR series
radialde baixa queda de tensão

díodo Schottky
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Características

Tipo de tecnologia
Schottky
Montagem
radial
Especificações elétricas
de baixa queda de tensão
Tensão direta

MÁX: 1,15 V

MÍN: 0,45 V

Tensão inversa

MÁX: 300 V

MÍN: 45 V

Descrição

As séries da fronteira de diodos de MOS Schottky da trincheira são um projeto mecânico muito robusto com baixas avaliações da tensão dianteira (VF). Aperfeiçoado para a perda da eficiência elevada e de baixa potência, são seridos idealmente para o uso em fontes de alimentação de comutação e para inverter a proteção da bateria. O diodo de Schottky (igualmente conhecido como um diodo de barreira de Schottky) é um diodo de comutação rápido com uma baixa queda de tensão dianteira. Há uma queda de tensão pequena através de um diodo quando atual corre através d. Os diodos de Schottky do TH da fronteira têm uma queda de tensão dianteira (escala de VF de 0,45 a 0,92 volts, muito mais baixa do que outros tipos de diodos. Esta baixa queda de tensão dianteira fornece uma eficiência de sistema mais alta e uma velocidade de comutação mais rápida. Em um diodo de Schottky, um semicondutor à junção do metal é formado em que o N-tipo semicondutor atua como o cátodo e o metal atua como o ânodo do diodo de Schottky. Ao selecionar diodos de Schottky lá seja alguns parâmetros importantes a ser considerados, queda de tensão dianteira (VF), corrente retificada média (IO), e a corrente reversa repetitiva máxima (VRRM) é a mais comum. Queda da tensão dianteira dos diodos de Schottky a baixa (VF) fá-los seridos idealmente para o uso em sistemas solares impedir que as baterias drenem através do painel solar quando há pouco a nenhuma luz. Os diodos de Schottky são usados igualmente em fontes de alimentação do comutar-modo como os retificadores devido a seus tempo de resposta e eficiência elevada rápidos.

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