Gate driver MOSFET DIP8
IGBTopto-isolado

gate driver MOSFET
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Características

Especificações
MOSFET, IGBT, opto-isolado

Descrição

Estes Photocouplers são seridos idealmente para o poder de condução IGBTs e os MOSFETs usados em aplicações e em inversores do inversor do controlo do motor no sistema da fonte de alimentação. Contém um diodo emissor de luz de AlGaAs acoplado opticamente a um circuito integrado com uma fase das saídas de potência. A corrente de saída 2.5A~3A máxima é capaz diretamente de conduzir a maioria IGBTs com avaliações até 1200V/100A.

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Catálogos

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