Fototransistor SMD OIT18C-NR
em silício

Fototransistor SMD - OIT18C-NR - Optoi Microelectronics - em silício
Fototransistor SMD - OIT18C-NR - Optoi Microelectronics - em silício
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Características

Outras características
SMD, em silício
Corrente

1 mA

Tensão

80 mV

Descrição

OIT18C-NR conjunto de fototransístores de 13 canais 0,45 mm passo ótico em embalagem plástica SMD Descrição geral O OIT18C consiste num conjunto monolítico de 13 elementos de fototransístores de silício. Os fototransístores têm um coletor comum no substrato posterior, que está ligado a duas almofadas e cada emissor é acessível a uma almofada específica. O passo ótico da matriz é de 0,45 mm, o passo elétrico do pacote LCC é de 1,27 mm. A área ativa de cada elemento é de 0,25 x 0,50 mm2. As vantagens deste produto são a elevada uniformidade dos sensores de silício, devido à construção monolítica e ao processo microelectrónico extremamente controlado, a elevada estabilidade do sinal e a elevada capacidade de resposta ótica, devido ao revestimento antirreflexo depositado nas áreas do fototransistor. O dispositivo é protegido por uma fina película de plástico, que é resistente aos processos de forno de refluxo. A película deve ser removida depois de o dispositivo ter sido montado na placa eletrónica e o utilizador pode colocar o retículo ótico. Estão disponíveis duas marcas de referência para o posicionamento exato do retículo. Aplicações Codificadores ópticos codificadores absolutos de 13 bits Receptores ópticos Controlos/accionamentos Sensores de luz Caraterísticas Resistente aos processos de soldadura, MSL2  Elevada uniformidade das células de silício (< 10%)  Construção monolítica  Passo ótico baixo (0,45 mm)  Gama de temperaturas elevadas  Furos de referência na embalagem para uma montagem precisa  Pontos de referência na embalagem para uma montagem de elevada precisão  Serviço de montagem de retículos disponível

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Catálogos

OIT18C-NR
OIT18C-NR
3 Páginas

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