Fototransistores em silício

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fototransistor NPN
fototransistor NPN
Metal Can TO18

Corrente: 0,2, 1,65, 0,01 mA

... Tempo de queda tf 8.0 µs Tempo de subida tf 8.0 µs Gama espetral de sensibilidade tip. λ10% min. 450 nm λ10% max. 1100 nm Área sensível à radiação A 0.11 mm² Ângulo do feixe ∢ 110 ° Dimensão l 5.35 mm w 5.35 mm h 3.3 mm Temperatura de ...

fototransistor IGBT
fototransistor IGBT
H11 series

Corrente: 50,5, 60, 75 A
Tensão: 32 V - 300 V

... Optoacoplador, saída de fototransistor, com conexão de base, alta tensão BVCEO CARACTERÍSTICAS Tensão de rutura do coletor-emissor muito elevada BVCEO Tensão de teste de isolamento: 5000 VRMS Baixa capacitância de acoplamento APLICAÇÕES Telecomunicações ...

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... OIT29 3-ch. matriz de fototransistor 0.60mm passo óptico na embalagem plástica SMD Descrição Geral OIT29 consiste em um silício de três elementos a matriz monolítica do fototransistor. Os ...

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