Fototransistor IGBT H11 seriesde comutaçãoSMDem GaAs
Guardar nos favoritos
Comparar
Características
- Tipo
- IGBT
- Tipo
- de comutação
- Outras características
- em silício, SMD, em GaAs
- Corrente
50,5 A, 60 A, 75 A
- Tensão
MÁX: 300 V
MÍN: 32 V
Descrição
Optoacoplador, saída de fototransistor, com conexão de base, alta tensão BVCEO
CARACTERÍSTICAS
Tensão de rutura do coletor-emissor muito elevada BVCEO
Tensão de teste de isolamento: 5000 VRMS
Baixa capacitância de acoplamento
APLICAÇÕES
Telecomunicações
Controlos industriais
Equipamento alimentado por bateria
---
Catálogos
Não estão disponíveis catálogos para este produto.
Ver todos os catálogos da VISHAYFeiras de negócios
Próximas feiras onde poderá encontrar este fornecedor
Outros produtos VISHAY
Semiconductors
Pesquisas relacionadas
- Relé de comutação
- Capacitor
- Transceptor
- Díodo
- Capacitor cerâmico
- Módulo de transistores
- Relé de estado sólido
- Potenciômetro
- Resistor de fio bobinado
- Capacitor de potência
- Díodo de retificação
- Capacitor RoHS
- Módulo de transistores de potência
- Díodo de tensão
- Potenciômetro circular
- Resistor de potência
- Potenciômetro manual
- Capacitor de tensão
- Díodo de alta tensão
- Capacitor multicamadas
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.