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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Corrente: -16,4 A
Tensão: -60 V
... cargas e gestão de energia a nível de placa quando é necessário um
MOSFET canal P em DPAK.
Características técnicas / especificações
- Tipo de dispositivo: MOSFET de potência canal P
- VDS
Infineon Technologies AG
Corrente: 40 A
Tensão: 40 V
... Descrição curta
O BSZ063N04LS6 é um
MOSFET de potência de canal N OptiMOS 6, 40 V, projetado para SMPS, carregadores de bateria e aplicações de ORing. Oferece redução do RDS(on) de aproximadamente 30% em relação à geração anterior ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 61 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 20 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 18 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 9 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
Infineon Technologies AG
Corrente: 101 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
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Corrente: 101 A
Tensão: 600 V
... em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente ...
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