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特徴
技術
PN接合付き
設置
SMD
機能
スイッチング
技術的特徴
シリコン
逆電圧
180 V
詳細
説明: セントラルセミコンダクタ CMKD3003DO には、エピタキシャル平面プロセスで製造された、UltraMini™ 表面実装パッケージでエポキシモールドされた2つの絶縁型対向シリコンスイッチングダイオードが含まれています。これらのデバイスは、非常に低いリークを必要とするスイッチングアプリケーション向けに設計されています。
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CMKD3003DO 180V, 200mA Dual, Isolated, Opposing Low Leakage Switching Diodes in SOT-363 package
2 ページ
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