半導体用樹脂 i-Line感光性
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特徴
- 応用
- 半導体用
- その他特徴
- 感光性
詳細
0.30µm以下から1.0µmを超える解像度まで適用可能な中波紫外線感度フォトレジスト拡張シリーズ
幅広い厚さのレジストのさまざまな基板上で0.30µm以下から1.0µmを超える解像度まで対応し、クリティカルからノンクリティカルなケースまで適用可能な中波紫外線感度フォトレジスト拡張シリーズです。
製品ラインアップ
• - 非反射基板に対応する高機能なi線用レジスト
非反射基板上での要求の厳しいクリティカルCD（<350nm）回路パターン形成用に設計されたレジストファミリー：
o - OiR 620シリーズ
o - OiR 674シリーズ
• - 非反射基板に対応する高機能なi線用レジスト
非反射基板上での要求の厳しいクリティカルCD（350nm CD）のパターン形成用に高速フォトスピードオプションを提供するレジストシリーズ：
o - OiR 674シリーズ
o - GiR 1102シリーズ
o - GiR 2201シリーズ
• - 多用途高解像度i線用レジスト
高スループット、高解像度（>500nm CD）、および堅牢なパターン形成のための最速フォトスピードオプションを提供するレジストシリーズ：
o - OiR 305シリーズ
o - OiR 366シリーズ
o - OiR 906シリーズ
o - OiR 907シリーズ
• - 多用途なg線、i線、広帯域用レジスト
g線、i線、広帯域（>800nm CD）用の堅牢なパターン形成を提供するレジストシリーズ：
o - HiPR 6500シリーズ
o - HPR 510シリーズ
• - 高反射率基板用染色レジスト
高反射率基板でのCDやノッチングを制御するための、非白化・高光学濃度のレジストシリーズ：
o - OiR 906MD
o - OiR 906HD
o - OiR 305HC
o - HiPR 6500GH
o - HiPR 6500HC
• - 厚膜に対応したi線用レジスト
膜厚3～13µmまでの厚膜パターン形成のニーズに対応したレジストシリーズ：
o - FHi-560EP
o - GiR 3114
o - OiR 305
o - OiR 908
