欠陥及びパターン形状の3D観察で G&Cデバイス*1の開発TAT短縮と品質向上に貢献
Φ200 mm以下のウェーハを自動搬送した後、クリティカルなパターン位置や欠陥検査装置で検出された欠陥位置へ正確に移動し、試料ステージ傾斜機能を活用して三次元的なSEM観察を行うことができます。
さらに、観察対象に対して元素分析機能(EDS:Energy Dispersive-X-ray Spectrometer)*2による構成元素の推定を可能にしました。
*1)
G&Cデバイス:グリーン&コミュニケーションデバイスの略語。具体的には、Φ100/125/150/200 mmのウェーハで生産される電子デバイス及び電子部品。(例:SAW/BAW、MEMS及びセンサー、パワー及びアナログデバイス等)
*2)
オプション
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シグナルタワーはオプションです
取扱会社:株式会社 日立ハイテク
• 5軸試料ステージ採用により欠陥及びパターン形状の傾斜観察が可能
• 元素分析機能(EDS)*を搭載する事で異物や欠陥の構成元素の推定が可能
• Φ100 mm, Φ150 mm, Φ200 mmウェーハサンプルに対応