走査型電子顕微鏡 SU9600

薄膜測定用研究用素材研究用

概要
SU9600 (T)SEM は、超高分解能SEMと解析用STEMをTEM互換の試料ステージと組み合わせたモジュラー式ハイブリッド走査型電子顕微鏡です。単一の高安定プラットフォーム上で表面情報と透過電子情報の相関解析を可能にし、UHR-SEM、STEM、4D-STEM*、EELS*、nano-EDS* をサポートして高速で高分解能な多モード材料解析を実現します。

主な特徴

• UHR-SEM と解析用 STEM を統合した安定プラットフォーム
• 10 V〜30 kV の幅での超高分解能イメージングによる表面・構造解析
• コールドフィールドエミッションガン、フルイマージョン対物レンズ、TEM試料ステージ（30 kV で 0.34 nm 保証、約 0.2 nm 到達可能）

機能と利点

• エネルギー・角度フィルタ付きの反射電子および透過電子の包括的検出
• SE/BSE の表面コントラストと BF/ADF/STEM 画像およびスペクトルデータ（EELS/EDS）の相関
• 大開口のウィンドウレスEDS によるサブnm の元素解析
• EELS と 4D-STEM による高度な材料物性解析への対応

技術的詳細

• NEG を用いた次世代コールドフィールドエミッションにより高輝度・低色収差を実現（EELS オプション）
• フルイマージョン対物レンズと TEM ライクなステージの組合せで最適な分解能と機械的安定性を確保
• 0.5〜30 kV の高分解能イメージング（30 kV で 0.34 nm 保証、約 0.2 nm 到達可能）
• TEM ステージとダブルチルトホルダーにより断面の迅速な配向やゾーン軸整合が可能（オプション）
• クライオホルダーや MEMS ホルダーの対応（オプション）

解析機能

• 大開口ウィンドウレス検出器を用いたサブnm EDS による高速ナノスケール元素マッピング
• 高速直接電子検出を用いた 4D-STEM により DPC、ptychography、ひずみ・位相マッピングが可能。仮想絞りで BF/DF/選択回折像を生成
• 低 kV での EELS：リアルタイム元素イメージング、コアロス・プラズモン損失分光。コールドFEG により約 0.35 eV のエネルギー分解能を実現

用途

• ナノ材料：元素分布マッピング、ナノワイヤの組成解析、格子イメージング
• 薄膜：表面形態および結晶粒構造の解析
• 元素解析：ナノスケールの組成およびマッピング（例：Ag/Cu 系）
• 半導体：原子レベルの格子観察と回折解析

仕様
SE 画像分解能：0.4 nm @ 30 kV；1.0 nm @ 1 kV；0.6 nm @ landing 1 kV（オプションの減速ホルダーとトップ検出器装着時）
STEM 画像分解能：0.34 nm @ 30 kV（格子像、オプション）
加速電圧：0.5〜30 kV
ランディング電圧：0.01〜20 kV
電気的画像シフト：最大 ±5 mm（試料高さ = 0.0 mm）
ステージ移動範囲：X: ±4.0 mm、Y: ±2.0 mm、Z: ±0.3 mm、T: ±40°
試料寸法 - 平坦ステージ：5.0 mm × 9.5 mm × 3.5 mm（H）最大
試料寸法 - 断面ステージ：2.0 mm × 6.5 mm × 5.0 mm（H）最大

注記
* 表示のあるものはオプションです。4D-STEM、EELS および特定のホルダーなどの機能は構成によりオプションとなる場合があります。