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ICP-AES分光器 ICP-AES700
光学発光CMOS製薬産業用

ICP-AES分光器 - ICP-AES700 - Labfreez Instruments Group Co., Ltd - 光学発光 / CMOS / 製薬産業用
ICP-AES分光器 - ICP-AES700 - Labfreez Instruments Group Co., Ltd - 光学発光 / CMOS / 製薬産業用
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特徴

タイプ
光学発光, ICP-AES, CMOS
分野
分光学用, 製薬産業用, 食品分析用, 環境分析用, 研究所用, 微量不純物分析用
形状
コンパクト
その他の特徴
高解像度, 高感度, 完全スペクトル式
波長

最少: 165 nm

最大: 900 nm

詳細

製品概要
ICP-AES700 全スペクトル直読誘導結合プラズマ発光分光計は、液体および固体試料中の主要元素、微量元素、超微量元素の定性、半定量および高精度定量分析を行います。多くの元素で検出下限がppb(parts-per-billion)レベルに達し、産業、環境、食品、材料系のラボでの多元素日常分析に対応します。

製品特長
  • 高精度分析:高分解能光学系;UV高応答のアンチオーバーフロー バックショット メガピクセル CCD/CMOS 検出器、UV蛍光コーティング無し、長寿命;複数のバックグラウンド補正技術に対応。
  • 安定性と信頼性:光学部品は固定構成;安定したアルゴン質量流量統合制御システム;視覚的な安全インターロックと運転監視。
  • 操作性:着脱可能な同心石英トーチ、自動トーチアライメントと光源最適化機能を内蔵。
  • 経済的運用:コンパクトで効率的な光室設計によりアルゴン消費を低減;技術サポートおよび現地サービスの選択肢あり。
  • ソフトウェア:階層化されたインターフェースで直感的操作;豊富なメソッドライブラリとバージョン管理でメソッド継承・保守を支援。

適用分野
材料分析
合金の元素含有率分析;高純度非鉄金属およびその合金の微量分析;金属材料、電子材料、電源材料、貴金属中の微量元素分析;電子部品や包装、食器、容器等の有害元素検出。

食品分析
食品中の重金属等の衛生検査;水中(廃水、飲料水、ミネラルウォーター等)に含まれる有害な重金属や陰イオンの分析。

医薬・化学分析
医薬品、化粧品、洗剤およびその包装材中の有害元素(As、Hg、Pb等)の分析;健康補助食品や生物製品中の不純物や栄養成分の分析;塩素アルカリ化学工業の高純度苛性ソーダ原料や医薬中間体の高純度分析。

土壌・鉱石分析
地質・環境モニタリング:土壌や肥料中の重金属・微量元素の分析(As、Hg、Pb、Cr、Mn、Fe等);鉱物の定性・定量分析;農業研究や大学向けの環境試料分析。

検出範囲
ICP発光分光計は金属元素および一部の非金属元素をトレースから主要濃度まで定性、半定量、定量で解析可能です。

製品仕様
噴霧装置の技術指標:
出力コイル:銀メッキ高周波コイル、内径25 mm、3巻。
三重同心石英トーチ:外径20 mm。用途に応じた複数のトーチモデルあり。
高効率輸入同心ネブライザー:外径6 mm、複数モデル選択可。
パーグリチックポンプ:4チャネル12ローラー、要求流量に応じ速度調整可能。
総アルゴン消費量:<14 L/min.

分光器の技術指標:
回折格子:凹面格子、全スペクトル真空光学系(Pxing-longge 構造)。
波長範囲:165 nm – 900 nm。
分解能:< 0.007 nm(200 nmにて)。
検出感度例:2.0 mg/L(As 188.980 nm を 10000 mg/L Ca 溶液中で測定)。
光室温度:34 ± 0.1 ℃。

機器の技術指標:
測定モード:軸方向/放射方向観測(両方向観測)。
再現性(短期安定性):相対標準偏差 RSD < 0.5%。
安定性:RSD < 1% @ 2 時間。
試験速度:CMOS 単一読み出し時間 2 ms;ほとんどの元素の検出下限は約20 s以内に達成(一般に 1 ppb–10 ppb)。
分析能力:70元素以上の定量分析可能。

検出装置の技術指標:
検出器種別:日本製オリジナル CMOS 検出器。
量子効率:無コーティング、UV(200 nm)量子効率 >35%。

RF源パラメータ:
入力電源:AC 220 V。
入力電流:20 A。
出力能力:公称出力能力 >70%。
出力安定度:< 0.05%。
電源周波数:27.12 MHz。
周波数安定度:< 0.05%。

元素の検出下限
多くの元素で検出下限が ppb レベルに達し、ほとんどの元素で 1 ppb–10 ppb の範囲にあります。

技術仕様
  • 型式:ICP-AES700。
  • 波長範囲:165–900 nm。
  • 分解能:<0.007 nm(200 nm にて)。
  • 検出器:UV 高応答 CMOS 検出器(日本)、200 nm にて UV QE >35%。
  • 測定モード:軸および放射観測。
  • 再現性:RSD <0.5%;安定性 RSD <1% @ 2 h。
  • 試験速度:CMOS 読み出し 2 ms;全元素検出約 20 s。
  • 分析能力:>70元素の定量分析。
  • アルゴン消費量:<14 L/min。
  • RF 入力:AC 220 V、20 A;周波数 27.12 MHz;出力安定度 <0.05%。

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