自動車用途MOSFET SCT4018KTWHR

高圧耐性高速炭化ケイ素

製品概要
本製品は、TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）パッケージを採用したSiC MOSFETです。自動実装可能な面実装品であり、放熱面をパッケージ上面に配置した構造により、従来の挿入型パッケージ（TO-247-4L）と同等レベルの放熱性能を実現します。パッケージに独自の溝を設けることで沿面距離6.66mmを確保し、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧に対応します。第4世代SiC MOSFETを搭載し、低オン抵抗と高速スイッチング特性により電力変換回路の高効率化と省電力化に貢献します。

特長

• AEC-Q101準拠（自動車グレード）
• 沿面距離：最小6.66mm（独自溝構造による確保）
• 低オン抵抗（Typ. 18 mΩ）
• 高速スイッチング
• 高速逆回復
• 並列接続が容易
• 駆動が簡単
• 鉛フリー端子めっき、RoHS準拠

主なアプリケーション例

• xEV（電動車）向け：オンボードチャージャー（OBC）
• 電動コンプレッサー
• PVインバータ（太陽光発電インバータ）
• サーバー電源等の高効率電力変換回路

パッケージ・供給情報
パッケージ：TSC3PAK（上面放熱構造）
パッケージ寸法：14.0 x 18.58 mm（t=3.625）
包装形態：テーピング
包装数量：600個（最小包装数量：600）
RoHS：Yes
MSL：1
共通規格：AEC-Q101（Automotive Grade）

特長/補足説明
面実装でありながら挿入型パッケージ相当の放熱性能を実現するTSC3PAKを採用しており、実装コスト低減と信頼性向上に寄与します。高耐圧アプリケーションでの安全な絶縁設計を可能にする沿面距離の確保や、低オン抵抗・高速スイッチングによりスイッチング損失低減を実現します。

キャラクタリスティクス / 技術仕様（主な値）

• 形名：SCT4018KTWHRTCR
• 定格ドレイン・ソース間電圧（Vds）：1200 V
• ドレイン・ソース間導通抵抗（Rds(on), Typ.）：18 mΩ
• 世代：第4世代（Trench）
• ドレイン電流（Id）：79 A
• 総損失放散（Total Power Dissipation）：294 W
• ジャンクション温度（最大）：175 °C
• 保管温度範囲：-40 ～ 175 °C
• パッケージ寸法：14.0 x 18.58 mm（t=3.625）
• 沿面距離（Creepage distance）：最小 6.66 mm（パッケージ溝構造による確保）
• 包装形態：テーピング、包装数量：600
• 準拠規格：AEC-Q101（自動車グレード）