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... 製品概要
本製品は、TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）パッケージを採用したSiC MOSFETです。自動実装可能な面実装品であり、放熱面をパッケージ上面に配置した構造により、従来の挿入型パッケージ（TO-247-4L）と同等レベルの放熱性能を実現します。パッケージに独自の溝を設けることで沿面距離6.66mmを確保し、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧に対応します。第4世代SiC MOSFETを搭載し、低オン抵抗と高速スイッチング特性により電力変換回路の高効率化と省電力化に貢献します。
特長
- AEC-Q101準拠（自動車グレード）
- 沿面距離：最小6.66mm（独自溝構造による確保）
- 低オン抵抗（Typ.
ROHM Semiconductor
... ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。 特長: - 低オン抵抗 - 高速スイッチングスピード - 高速リカバリー - 並列使用が容易 - シンプルな駆動回路 - Pbフリー対応済み、 RoHS準拠 ...
ROHM Semiconductor
... オンセミは、EVトラクション・インバータ、DC-DCコンバータ、オフボード・チャージャなどの高電力アプリケーション向けに最適化された、ベアダイ・タイプの第3世代EliteSiC炭化ケイ素（SiC）MOSFETを提供します。 オンセミの最新世代のSiC MOSFET技術に基づくM3e製品ファミリは、はんだ付け、焼結、ワイヤボンド、ダイトップ銅、リボンボンドなど、複数のパッケージング技術に適した最適化されたトップメタルとバックメタルのオプションを備え、クラス最小のオン抵抗を実現します。オンセミのM3e製品を利用することで、パッケージングの柔軟性により、電気自動車のトラクション・インバータ・アプリケーションにおいて、電力密度と効率を高めながら、システムのサイズ、重量、アプリケーションの複雑さを低減することができます。 シリコンベースのソリューションから炭化ケイ素ベースのソリューションに移行することで、バッテリー電気自動車のトラクション・インバータの効率と航続距離を最大5%改善することができます。 アプリケーション 主なトラクション・インバータ用途 高電圧DC/DCコンバータ オフボードチャージャー 最終製品 1200V ...