イオン ビーム蒸発器 EFM-H

加工

ビーム角: 最高15。 FWHM: 15から6 (およそ) 間隔を見本抽出するフランジ: 203番のmmまたはより大きい 挿入の深さ: 141.5 mm NGEFMまたはEVCシリーズコントローラーと互換性がある 選択: シャッター、ガスの入口、ポンプバイパス 有効な水冷却 焦点プロダクト EFM-Hは原子水素を使用して半導体の表面のクリーニングそしてエッチングのための理想的な器械(Si、GaAs、GEまたはINPのような)、薄膜の成長および他の同じような適用の改善の表面不動態化のために、である。 EFM-Hは100%年の近くの割れる効率、滑らかのを、きっかり特色にし、sharpely定義された点のプロフィール、低い背景圧力および意外にも低い電力の消費はEFM-Hの顕著な性能を示す。 水素原子の典型的な運動エネルギーは約250 MEVであり、イオンも興奮しない分子も作り出されない。 市場の最もよい特徴付けられた源のうまく設計されているだけ、また1時でなくではない。