ホール効果測定システム DX-1000T

同心性抵抗率半導体用

この機器システムは、電磁石、電磁石電源、高精度定電流源高精度電圧計、ガウス計、ホール効果サンプルホルダー、標準サンプル、高温および低温デュワー、温度コントローラー、およびシステムソフトウェアで構成されています。 テスト可能な材料: - 半導体材料: SiGe、SiC、InAs、InGaAs、InP、AlGaAs、HgCdTeおよびフェライト材料など。 - 低インピーダンス材料: グラフェン、金属、透明酸化物、弱磁性半導体材料、TMR材料など。 - 高抵抗材料: 半絶縁GaAs、GaN、CdTeなど テクニカルインジケーター - 磁界: 10mmピッチは2T、30mmピッチは1Tです; - サンプル流れ: 0.05uA ~ 50mA (調整0.1nA); - 测定电圧: 0.1uV ~ 30V; - さまざまなテスト標準材料、さまざまなレベルのシリコンおよびガリウムヒ素 (異なる感度と精度) を提供します。 - 最小解像度: 0.1GS; - 磁界の範囲: 0-1T; - ガウスメーターまたはデジタル取得ボードと協力して、コンピューターと通信します。 - I-VカーブとI-Rカーブの测定など; - ホール係数やキャリア濃度などのパラメータの曲線を温度に応じて変更します。 - 抵抗の範囲: 10-710 ~12オーム * cm; - 抵抗の範囲: 10 mオーム ~ 6MOhms; - キャリア集中: 10310 ~23Cm-3; - モビリティ: 0.1 ~ 108Cm2/Volt * sec; - 温度調整0.1K; - 温度ゾーン: 77K-470K; - 完全に自動化されたテスト、1キー処理; - 同じ温度差の間の連続的な測定を実現することができる。 各コンポーネントのパラメータ: 高精度電磁石 - ポール直径100mm; - NとSの間の距離が10mmの場合、最大磁場は20000Gsです。 - NとSの間の距離が20mmの場合、最大磁場は13000ガウスです。 - NとSの間の距離が30mmの場合、最大磁場は10000ガウスです。 - 均一な領域: 60mmの間隔で10mmの直径、均一性の範囲1%; - 重量210 kg (ブラケットとホイールを含む)。 高精度バイポーラ定電流電源 - 出力: ± 10A ± 80V; - パワー; 800W; - 電源の出力電流は、正と負の定格最大電流の間で継続的に変化する可能性があります。 - 電流はゼロ点をスムーズに横断し、切り替えずに逆にすることができます。 - 出力電流と電圧の4象限操作 (誘導荷重に適しています)。 - 現在の変化率は0.0007〜0.3 F.S./sの範囲で置くことができます (F.S. は定格最大出力電流です)。 - 现在の安定性: ± 25ppm/h (标准的なタイプ) よりよい; ± 5ppm/h (高い安定性のタイプ) よりよい; - 現在の精度: ± (0.01% セット値 + 1mA); - 現在の解像度: 20ビット、例えば15A電源、現在の解像度は0.03mAです。 - ソース効果: ≤ 2.0 × 10-5F.S. (電源電圧が10% 変化すると、出力電流が変化します)。 - ロード効果: ≤ 2.0 × 10-5F.S. (負荷が10% 変化すると出力電流が変化する);