Han's Laserの切断レーザー

出力: 10, 5, 15, 20 W
波長: 355 nm

... 産業、特に携帯電話産業チェーンの主要工程で広く使用されている。現在、15,000台以上の機械が発売され、類似 レーザーの市場シェアをリードしている。 応用分野 1. PCB、FPCマーキング、デパネル、 切断、穴あけ； 2. シリコンウエハのマイクロホール、ブラインドホール加工 3. 太陽電池加工 4. シリコンウェーハスクライビング 5. セラミックのスクライブ、 切断、穴あけ 6. ...

出力: 8 W - 50 W
波長: 1,064, 532, 355 nm

... セラミックスなどの脆性材料の微細加工 2. ガラス素材への超精密マークポイントや目に見えない極小QRコード（0.2mm*0.2mm）の微細マーキング。 3. 金属製医療器具への耐酸腐食性、耐酸化性などのト レーサブルマーキング。 4. プラスチック、酸化物、有機物の 切断や穴あけ、表面コーティングの除去。 5. ハイエンド電子製品の外部ロゴ。 6. 超硬素材の精密成形 7. 化学腐食を使用しない金属材料の深絞り加工。 ...

出力: 500 W

... 返し周波数の調整可能な範囲（50kHz-4MHz）。 良好なスポットモード； 高い安定性； バーストパルス数：1-16 用途 ガラス、サファイア、セラミックなどの脆性材料の 切断と穴あけ 薄膜材料の 切断と穴あけ セン サーのマーキングとエッチング 金属表面の黒銅層除去や微細マーキングなどの金属表面処理 心臓血管ステントの 切断など、人体インプラント材料の超微細加工 二光子マイクロナノ加工 歯科修復など ...

出力: 70 W - 80 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式短キャビティCO₂ レーザー、出力範囲70W～80W、波長9.2～10.8μm、入力DC電源48V/30A。 短い共振共振器、共振器内のビーム整形システム、良好な レーザー安定性、300mm後の準基本モードガウシアンビーム出力、輸入された高品質のキーコンポーネント、高速マーキング、迅速な整形（焼結）、高度な防塵設計、様々な産業ケースに適しており、小さな溶融エッジと非金属材料のマーキング＆ 切断などの広いアプリケーションでより微細な統合システム加工ライン。 用途 セラミックのスクライビング、穴あけ ...

出力: 80 W - 200 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO₂ レーザー、定形スポット、出力範囲80W-200W、波長9.2-10.8μm、入力DC電圧48V。 高出力、良好な出力モード、外部光路のビーム整形システム、準基本モードガウシアンビーム出力と細線。用途PCB微細穴加工、FPCB加工、プラスチック精密 切断、ポークマーキング、3Dプリンティング、セラミックスクライビング/ドリル、ガラス 切断とクラッディング、バックライトと精密金属 切断とクラッディング、および非金属材料（革、経典など）マーキング、彫刻、スクライビング、 切断。 用途 携帯電話シェル ...

出力: 280 W - 320 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO2 レーザー、出力範囲280W-320W、波長9.2-10.8μm、入力DC電源48V/110A。 高出力、良好な出力モード、外部光路のビーム整形システム、準基本モードガウシアンビーム出力と細線。用途PCB微細穴加工、FPCB加工、プラスチック精密 切断、ポークマーキング、3Dプリンティング、セラミックスクライビング/ドリル、ガラス 切断とクラッディング、バックライトと精密金属 切断とクラッディング、非金属材料（革、経典など）マーキング、彫刻、スクライビング、 切断。 用途 携帯電話シェル加工 ...

出力: 80 W - 200 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO2 レーザー、出力範囲80W-200W、波長9.2-10.8μm、入力DC電圧48V。 良好な レーザーモード、コンパクトな構造、微細なライン、準基本モードガウシアンビーム出力、スポット真円度<1.5:1、輸入された高品質の主要コンポーネント、高出力、良好な安定性、高度な防塵設計、様々な産業ケースに適した、小さな溶融エッジ、精密 切断/マーキング、広い産業アプリケーションと強い包含性を持つより微細な統合システム加工ライン。 用途 セラミックスクライビング、ドリル＆彫刻、PCBまたはFPCB ...

出力: 50 W
波長: 532 nm

... この レーザー製品は、オールファイバー光学設計を採用し、回折限界に近いサブナノ秒 レーザーを安定的に出力します。 製品の特徴 1) サブナノ秒パルス 2) 高いパルスエネルギーとピークパワー 3) 調節可能な繰返し周波数 4) 回折限界に近いビーム品質 5) コンパクト構造、小型 用途 1) 切断、穴あけ、スクライビング (ガラス、シリコン、セラミック) 2) 薄膜パターン（金属、薄膜） 3) マーキング（ガラス、シリコン、セラミック、金属、プラスチック） ...

出力: 80 W
波長: 1,064 nm

... 1) サブナノ秒パルス 2) 高いピークエネルギーとピークパワー 3) 調整可能な繰り返し周波数 4) 回折限界に近いビーム品質 5) コンパクト構造、小型 用途 1) 切断、穴あけ、スクライビング (ガラス、シリコン、セラミック) 2) 薄膜パターン（金属、薄膜） 3) マーキング（ガラス、シリコン、セラミック、金属、プラスチック） ...

... 高度なチャープパルス増幅技術により、回折限界に近いフェムト秒 レーザー出力を実現。半導体や家電の分野でバッチ使用されており、優れたプロセスと良好な安定性を持っています。 1) フェムト秒パルス 2) 高いパルスエネルギーとピークパワー 3) 回折限界に近いビーム品質 4) 高い安定性と信頼性 応用例 1) 切断、穴あけ、スクライビング (ガラス、シリコン、セラミック、FPCB) 2) 薄膜パターン（金属、薄膜） 3) マーキング（ガラス、シリコン、セラミック、金属、プラスチック） ...