Han's Laserの彫刻レーザー

出力: 70 W - 80 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... キャビティCO₂ レーザー、出力範囲70W～80W、波長9.2～10.8μm、入力DC電源48V/30A。 短い共振共振器、共振器内のビーム整形システム、良好な レーザー安定性、300mm後の準基本モードガウシアンビーム出力、輸入された高品質のキーコンポーネント、高速マーキング、迅速な整形（焼結）、高度な防塵設計、様々な産業ケースに適しており、小さな溶融エッジと非金属材料のマーキング＆切断などの広いアプリケーションでより微細な統合システム加工ライン。 用途 セラミックのスクライビング、穴あけ＆ 彫刻、PCBや ...

出力: 80 W - 200 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO₂ レーザー、定形スポット、出力範囲80W-200W、波長9.2-10.8μm、入力DC電圧48V。 高出力、良好な出力モード、外部光路のビーム整形システム、準基本モードガウシアンビーム出力と細線。用途PCB微細穴加工、FPCB加工、プラスチック精密切断、ポークマーキング、3Dプリンティング、セラミックスクライビング/ドリル、ガラス切断とクラッディング、バックライトと精密金属切断とクラッディング、および非金属材料（革、経典など）マーキング、 彫刻、スクライビング、切断。 用途 携帯電話シェル ...

出力: 280 W - 320 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO2 レーザー、出力範囲280W-320W、波長9.2-10.8μm、入力DC電源48V/110A。 高出力、良好な出力モード、外部光路のビーム整形システム、準基本モードガウシアンビーム出力と細線。用途PCB微細穴加工、FPCB加工、プラスチック精密切断、ポークマーキング、3Dプリンティング、セラミックスクライビング/ドリル、ガラス切断とクラッディング、バックライトと精密金属切断とクラッディング、非金属材料（革、経典など）マーキング、 彫刻、スクライビング、切断。 用途 携帯電話シェル加工 ...

出力: 80 W - 200 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO2 レーザー、出力範囲80W-200W、波長9.2-10.8μm、入力DC電圧48V。 良好な レーザーモード、コンパクトな構造、微細なライン、準基本モードガウシアンビーム出力、スポット真円度<1.5:1、輸入された高品質の主要コンポーネント、高出力、良好な安定性、高度な防塵設計、様々な産業ケースに適した、小さな溶融エッジ、精密切断/マーキング、広い産業アプリケーションと強い包含性を持つより微細な統合システム加工ライン。 用途 セラミックスクライビング、ドリル＆ 彫刻、PCBまたはFPCB ...

出力: 500 W

... 独自に開発したパルスファイバー レーザーのシリーズで、MOPA方式で設計されています。 優れたビーム品質と極めて安定した単一パルスエネルギーを持っています。Qスイッチ レーザーに比べ、MOPA レーザーのパルス幅と周波数は独立して調整でき、安定した高ピーク出力を実現します。 製品の特徴 HFMシリーズは、オプションとして様々な平均出力があり、様々なマーキングアプリケーションシーンの要求を満たします。500Wの高出力 レーザは、高速マーキングで威力を発揮し、 レーザ切断や レーザ溶接加工への応用が広がります。 ...

出力: 200 W - 300 W

... に開発したパルスファイバー レーザーシリーズで、MOPA方式で設計されています。 優れたビーム品質と極めて安定した単一パルスエネルギーを持っています。Qスイッチ レーザーに比べ、MOPA レーザーのパルス幅と周波数は独立して調整でき、安定した高ピーク出力を実現します。 製品の特徴 HFMシリーズは、オプションとして様々な平均出力があり、様々なマーキングアプリケーションシーンの要求を満たします。200-300Wの高出力 レーザは、高速マーキングで威力を発揮し、 レーザ切断や レーザ溶接加工への応用が広がります ...