Han's Laserのドリルレーザー

出力: 10, 5, 15, 20 W
波長: 355 nm

... TEM00出力 冷間加工」の極めて小さい熱影響部を利用して、ハイエンド製造分野の非金属脆性材料の超微細加工と微細構造製造を実現することができ、3C産業、特に携帯電話産業チェーンの主要工程で広く使用されている。現在、15,000台以上の機械が発売され、類似 レーザーの市場シェアをリードしている。 応用分野 1. PCB、FPCマーキング、デパネル、切断、穴あけ； 2. シリコンウエハのマイクロホール、ブラインドホール加工 3. 太陽電池加工 4. ...

出力: 8 W - 50 W
波長: 1,064, 532, 355 nm

... 1. ガラス、サファイア、セラミックスなどの脆性材料の微細加工 2. ガラス素材への超精密マークポイントや目に見えない極小QRコード（0.2mm*0.2mm）の微細マーキング。 3. 金属製医療器具への耐酸腐食性、耐酸化性などのト レーサブルマーキング。 4. プラスチック、酸化物、有機物の切断や穴あけ、表面コーティングの除去。 5. ハイエンド電子製品の外部ロゴ。 6. 超硬素材の精密成形 7. 化学腐食を使用しない金属材料の深絞り加工。 ...

出力: 500 W

... シングルパルスエネルギー≤200μJ＆繰り返し周波数の調整可能な範囲（50kHz-4MHz）。 良好なスポットモード； 高い安定性； バーストパルス数：1-16 用途 ガラス、サファイア、セラミックなどの脆性材料の切断と穴あけ 薄膜材料の切断と穴あけ セン サーのマーキングとエッチング 金属表面の黒銅層除去や微細マーキングなどの金属表面処理 心臓血管ステントの切断など、人体インプラント材料の超微細加工 二光子マイクロナノ加工 歯科修復など ...

出力: 70 W - 80 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式短キャビティCO₂ レーザー、出力範囲70W～80W、波長9.2～10.8μm、入力DC電源48V/30A。 短い共振共振器、共振器内のビーム整形システム、良好な レーザー安定性、300mm後の準基本モードガウシアンビーム出力、輸入された高品質のキーコンポーネント、高速マーキング、迅速な整形（焼結）、高度な防塵設計、様々な産業ケースに適しており、小さな溶融エッジと非金属材料のマーキング＆切断などの広いアプリケーションでより微細な統合システム加工ライン。 用途 セラミックのスクライビング、穴あけ ...

出力: 80 W - 200 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO₂ レーザー、定形スポット、出力範囲80W-200W、波長9.2-10.8μm、入力DC電圧48V。 高出力、良好な出力モード、外部光路のビーム整形システム、準基本モードガウシアンビーム出力と細線。用途PCB微細穴加工、FPCB加工、プラスチック精密切断、ポークマーキング、3Dプリンティング、セラミックスクライビング/ ドリル、ガラス切断とクラッディング、バックライトと精密金属切断とクラッディング、および非金属材料（革、経典など）マーキング、彫刻、スクライビング、切断。 用途 携帯電話シェル ...

出力: 280 W - 320 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO2 レーザー、出力範囲280W-320W、波長9.2-10.8μm、入力DC電源48V/110A。 高出力、良好な出力モード、外部光路のビーム整形システム、準基本モードガウシアンビーム出力と細線。用途PCB微細穴加工、FPCB加工、プラスチック精密切断、ポークマーキング、3Dプリンティング、セラミックスクライビング/ ドリル、ガラス切断とクラッディング、バックライトと精密金属切断とクラッディング、非金属材料（革、経典など）マーキング、彫刻、スクライビング、切断。 用途 携帯電話シェル加工 ...

出力: 80 W - 200 W
波長: 9.2 µm - 10.8 µm

... 水冷式CO2 レーザー、出力範囲80W-200W、波長9.2-10.8μm、入力DC電圧48V。 良好な レーザーモード、コンパクトな構造、微細なライン、準基本モードガウシアンビーム出力、スポット真円度<1.5:1、輸入された高品質の主要コンポーネント、高出力、良好な安定性、高度な防塵設計、様々な産業ケースに適した、小さな溶融エッジ、精密切断/マーキング、広い産業アプリケーションと強い包含性を持つより微細な統合システム加工ライン。 用途 セラミックスクライビング、 ドリル＆彫刻、PCBまたはFPCB ...

出力: 50 W
波長: 532 nm

... この レーザー製品は、オールファイバー光学設計を採用し、回折限界に近いサブナノ秒 レーザーを安定的に出力します。 製品の特徴 1) サブナノ秒パルス 2) 高いパルスエネルギーとピークパワー 3) 調節可能な繰返し周波数 4) 回折限界に近いビーム品質 5) コンパクト構造、小型 用途 1) 切断、穴あけ、スクライビング (ガラス、シリコン、セラミック) 2) 薄膜パターン（金属、薄膜） 3) マーキング（ガラス、シリコン、セラミック、金属、プラスチック） ...

出力: 80 W
波長: 1,064 nm

... 1) サブナノ秒パルス 2) 高いピークエネルギーとピークパワー 3) 調整可能な繰り返し周波数 4) 回折限界に近いビーム品質 5) コンパクト構造、小型 用途 1) 切断、穴あけ、スクライビング (ガラス、シリコン、セラミック) 2) 薄膜パターン（金属、薄膜） 3) マーキング（ガラス、シリコン、セラミック、金属、プラスチック） ...

... 高度なチャープパルス増幅技術により、回折限界に近いフェムト秒 レーザー出力を実現。半導体や家電の分野でバッチ使用されており、優れたプロセスと良好な安定性を持っています。 1) フェムト秒パルス 2) 高いパルスエネルギーとピークパワー 3) 回折限界に近いビーム品質 4) 高い安定性と信頼性 応用例 1) 切断、穴あけ、スクライビング (ガラス、シリコン、セラミック、FPCB) 2) 薄膜パターン（金属、薄膜） 3) マーキング（ガラス、シリコン、セラミック、金属、プラスチック） ...