Materials Research Furnacesの結晶成長炉

温度: 0 °C - 2,800 °C

... 真空度のために研磨されています。 ホットゾーンアセンブリは、グラファイトバンドエレメントと硬質繊維状グラファイト断熱パック、Moly-Dロッドエレメントとセラミック断熱パック、または高温金属メッシュ発熱体と層状金属シールドの3種類から選択できます。 結晶 成長キットを使用した場合の最高動作温度は2000℃（セラミックゾーンを使用した場合は1650℃）で、ヒーターシェルを追加したバッチモードでは2800℃まで可能です。 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... アーク溶解炉TA-200は、当社のSA-200アーク溶解炉と同じですが、1本ではなく3本のスティンガーがあり、より大きな均質な溶解が可能です。3つのアークに対応するため、より大容量の電源を備えています。 複数の電極を追加することで、機械的手段による汚染を心配することなく合金サンプルの混合を改善するために、溶接アークによって溶融池を「撹拌」または攪拌することができます。 このアーク溶解炉には、試料を収容するるつぼを備えた 2 インチ (51 mm) 銅製ハースがあります。この3アークモデルTA-200は完全なターンキーシステムとして提供され、瞬時に3500°C以上の温度に到達します。特定の溶融形状を生産するための特注ハース空洞は、注文時に指定すれば追加料金なしで利用できます。 本装置は、排気、不活性ガス、冷却水コンポーネントを炉アセンブリに統合し、100%デューティサイクルの電源を装備した、手頃な価格の即運転可能な炉で構成されているため、大学や研究開発ラボに最適です。Tri-Arc-200は、可変速水晶振動子引上げサーボドライブとリニアアクチュエータを装備することで、オプションの水晶振動子引上げ機能を備えています。水晶引上げ装置およびその他のオプションやアクセサリーの詳細については、アクセサリーのリストをご参照ください。 仕様 ボトムローディング構成。 上部と底部の真鍮ベース間でパイレックスガラスを通して360°の視野。 真空チャンバー構造。 タングステン電極付き銅製スティンガー 直径2.0インチ（51mm）の銅製ハースプレート。 電源350 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... アーク溶解炉 ABJ-900は、3500℃以上の温度での連続使用を可能にする当社最大のシステムで、安全な水流インターロック、絶縁ベローズ、排気/ガスシステム、および頑丈な電源を備えています。チャンバーは後方にヒンジがついており、ハースエリアとチャンバー内部に完全にアクセスできるため、搬入、搬出、清掃、メンテナンスが容易です。 ハースプレートには様々な形状の溶解キャビティが用意されており、ご注文時にご指定いただければ追加費用なしでカスタムデザインを提供します。 溶解エリアは直径9.00″(229 ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... することができます。 トリプルアークオプションにより、より均一な溶融が可能になり、アンロードや再装填の必要なく、より大きなバッチを処理することができます。また、異なる材料を異なるルツボに配置して同時に溶融することも可能です。 結晶 成長オプションにより、最大4″（100 mm）の 結晶をセンターるつぼから引き上げることができます。高真空システムオプションにより、必要に応じて超高純度の融解が可能です。すべてのコンポーネントは、オプションのタッチパネルスクリーンで直感的に操作できます。 ご注文時にご指定いただければ ...

温度: 0 °C - 2,000 °C

... この 結晶 成長炉は、Bridgman法、Czochralski法、またはStepanov法でラボサイズの 結晶を製造することができます。この技術は、半導体材料（シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素）、金属、塩、合成宝石の単 結晶育成に使用されます。 引上げ速度は調整可能で、0.001"/min.(0.025mm/分）。3/8 "シード・ロッドを回転させるモーターが別に付いています。 当社の 結晶育成オプションは、マルチアプリケーション実験室炉やアーク溶解炉のような、上部チャンバーポートを使用する一部の ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... Czochralski法でラボサイズの 結晶を 成長させるための最も低価格の炉は、アーク溶解炉TA-200の 結晶 成長オプションです。このオプションは、半導体材料（シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素）、金属、塩、合成宝石の単 結晶 成長に使用されるすべてのコンポーネントを追加します。 この炉は、3500℃以上の材料を溶融できる3つの電気アークを使用します。次に、シードロッドに取り付けられた 結晶シードが、融液を保持する2″（50mm）のるつぼの中に下降します。制御装置は、 成長する 結晶を引き上げるようにプログラムされている ...

温度: 0 °C - 3,500 °C

... ABJ-900-3（ 結晶 成長オプション付き）はTA-200の大型タイプで、大型チャンバー、大型電源、アクセスしやすいボトムローディングではなくトップローディング、大型メルトを特徴としています。 結晶 成長コンポーネントは、Czochralski法を用いて半導体材料、金属、塩、合成宝石の単 結晶を 成長させるように設定されています。 この炉には3つの電気スティンガーがあり、3箇所のアークで同時に材料を溶解します。この炉は3500℃以上の物質を溶解することができる。シードロッドに取り付けられた 結晶の種が、融液を保持 ...

温度: 0 °C - 1,300 °C

... しながら、完全なホットゾーンを長時間「揺動」させるプログラム可能なモーションシステムを組み込んだ 結晶 成長チューブ炉。 加熱ゾーンは長さ50″のムライト管と抵抗型発熱体から構成されています。ホットゾーンには3つの独立した発熱体があります。 完全なホットゾーンは90°の角度で連続的に揺動することができ、 結晶複合材料の 成長用に提供されています。 ロッキング・ヒート・サイクルが完了すると、独自のクエンチ・システムが 結晶複合材料を冷却媒体中の制御された深さまで落下させ、素早く冷却します。 一般仕様 チューブ ...