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... 製品概要
本製品は、TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）パッケージを採用したSiC MOSFETです。自動実装可能な面実装品であり、放熱面をパッケージ上面に配置した構造により、従来の挿入型パッケージ（TO-247-4L）と同等レベルの放熱性能を実現します。パッケージに独自の溝を設けることで沿面距離6.66mmを確保し、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧に対応します。第4世代SiC MOSFETを搭載し、低オン抵抗と高速スイッチング特性により電力変換回路の高効率化と省電力化に貢献します。
特長
- AEC-Q101準拠（自動車グレード）
- 沿面距離：最小6.66mm（独自溝構造による確保）
- 低オン抵抗（Typ.