静音トランジスタ

... Avagoは、シリコンバイポーラRFトランジスタとGaAs FETの広範なポートフォリオを持っています。 GaAs FET RFトランジスタは、低ノイズ指数と直線性の優れた組み合わせにより、基地局 LNAの第 1 段階または第 2 段階に最適です。 AvagosバイポーラRFトランジスタは、低電圧動作で最大 fTに最適化された高性能を提供し、ワイヤレス市場のバッテリ駆動アプリケーションでの使用に最適です。 ...

... 超低騒音 PHEMTが特徴です。 このプロセスは、重要なセルラー/PCS 基地ステーションおよびその他のワイヤレスRFアプリケーション向けに非常に低いノイズ指数、高い部品間の一貫性、優れた信頼性を提供するように最適化されています。 ATF-33143は小型 SOT-343パッケージでパッケージされています。 NF = 0.5デシベル、Ga = 15デシベル、P1デシベル = 22デシベル、および4V、80mA（2GHz）でのOIP33.5デシベル = 33.5デシベル = ...

... ATF-35143は、4ピンSC-70 表面実装プラスチックパッケージに収められた高ダイナミックレンジ、低ノイズ、PHEMTです。 ...

電流: 4 A
電圧: 650 V

R6xxxENxシリーズは使いやすさを重視した、低ノイズ性能が特徴のSuper Junction MOSFET製品です。このシリーズ製品は、オーディオや照明等といった、ノイズを極力抑えたいアプリケーションにおいて、ベストなパフォーマンスを実現致します。

電流: 1.7 A
電圧: 600 V

R6xxxENxシリーズは使いやすさを重視した、低ノイズ性能が特徴のSuper Junction MOSFET製品です。このシリーズ製品は、オーディオや照明等といった、ノイズを極力抑えたいアプリケーションにおいて、ベストなパフォーマンスを実現致します。

電流: 76 A
電圧: 600 V

R6076ENZ4はスイッチング用途に最適なパワーMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 高速スイッチングスピー ド並列使用が容易 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

電流: 4 A
電圧: 600 V

R6004END3はスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。 特長: 低オン抵抗 低輻射ノイズ 高速スイッチング 並列使用が容易鉛フリー 対応済み、RoHS準拠

電流: 11 A
電圧: 650 V

R6511ENXは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。 特長: 低オン抵抗 高速スイッチングスピード 並列使用が容易 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

電流: 11 A
電圧: 650 V

R6511ENJは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。

電流: 24 A
電圧: 650 V

R6524ENJは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。

電流: 30 A
電圧: 650 V

R6530ENXは低オン抵抗で高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。

電流: 4 A
電圧: 600 V

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電流: 30 A
電圧: 600 V

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。 特長: 低オン抵抗 高速スイッチングスピード ゲート・ソース電圧VGSS=±20V保証 駆動回路が簡単 並列使用が容易鉛フリー 対応済み、RoHS準拠

電圧: 50 V

... 説明: 中央セミコンダクターCMPT5086、CMPT50 86B、およびCMPT5087は、 エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンPNPトランジスタで、エポキシは 表面実装パッケージで成形され、 高ゲインと低ノイズを必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード：C2P： C2B：C2B ：C2Q ...