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... 高速4X10Gbpsフォトディテクタチップは、InGaAs/I InP PIN構造、フロントイルミネーションタイプで、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流が特徴です。受光面積は50μmで、PパッドとNパッドが上部に設計されており、はんだ配線の実装が容易です。主に4X10Gbps 4チャンネルTIAと組み合わせ、長距離、高速、シングルモードの4X10Gbps光受信機やデータ通信に使用されます。 1.アクティブエリアはΦ50μm。 2.グランド-信号-グランド（GSG）ボンドパッド構造、4X10Gbpsアレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.ダイピッチ：250μm 5.100％のテストと検査。 6.優れた信頼性：すべてのチップは、Telcordia ...
... InGaAs/InP 1X2アレイモニター用PINフォトダイオードチップは、上面がアノード、カソード、背面が入射面となる平面構造の大面積PINフォトダイオードチップです。底面入射型の活性領域はΦ100μmで、980nmから1620nmの波長領域で高い応答性を示します。 1.SI InP基板上の平面構造。 2.底面照射型：アクティブエリアはΦ100μm 3.1X2アレイ、ダイピッチ：500μm。 4.高い責任。 5.低暗電流。 6.上に陽極と陰極、前にワイヤーボンド。 7. -40℃から85℃の動作範囲。 8 ...
... このInGaAs/InP 1X8 ArrayモニターPINフォトダイオードチップは、上面がアノード、カソード、背面が入射面となる平面構造の大面積PINフォトダイオードチップです。底面入射型の活性領域はΦ100μmで、900nmから1650nmの波長領域で高い応答性を示します。主に光パワーのモニタリングに使用されます。 1.底面照射型：100μmのアクティブエリア 2.1X8アレイ、ダイピッチ：300um。 3.高い責任。 4.低暗電流。 5.陽極と陰極が上にあり、共晶はんだ付け。 6. -40℃から90℃の動作範囲。 7.優れた信頼性：すべてのチップは、Telcordia ...