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Tensão: 60 V
... Transístor de silício epitaxial NPN Aplicações Este produto é de uso geral e adequado para muitas aplicações diferentes. ...
Corrente: 24 A
Tensão: 1.700 V
... EHVS1) desenvolvida para se adaptar a ecrãs CRT de alta definição. A nova série de produtos HD apresenta uma eficiência de silício melhorada, o que permite actualizar o desempenho na fase de deflexão horizontal. Todas as características TECNOLOGIA ...
Corrente: 81 A
Tensão: 1.200 V
... SCT4018KE é um SiC MOSFET que contribui para a miniaturização e baixo consumo de energia das aplicações. Este é um produto de 4ª geração que atinge a liderança da indústria com baixa resistência sem sacrificar o curto-circuito e o tempo ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 51 A
Tensão: 750 V
... SCT4026DW7 é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao LIG, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 75 A
Tensão: 1.200 V
... SCT4018KW7 é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensão: 750 V
... SCT4045DW7 é uma fossa SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao LIG, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensão: 1.200 V
... SCT4062KW7 é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 98 A
Tensão: 750 V
... SCT4013DW7 é uma fossa SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao LIG, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM SiC ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 34 A
Tensão: 750 V
... AEC-Q101. SCT4045DRHR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensão: 750 V
... -Q101. SCT4045DW7HR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 26 A
Tensão: 1.200 V
... AEC-Q101. SCT4062KRHR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensão: 1.200 V
... -Q101. SCT4062KW7HR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração do ROHM ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 1 A - 5 A
Tensão: 12 V - 400 V
... mercado quando se trata de transistores bipolares. Ao utilizar sua ampla linha de embalagem interna e tecnologia de silício superior, Diodos está idealmente posicionado para atender às suas necessidades de aplicação ...
Diodes Incorporated
Tensão: 50, 100 V
... O FMMT413 é um transistor bipolar plano de silício NPN otimizado para operação em modo avalanche. O controle rigoroso do processo e a embalagem de baixa indutância se combinam para produzir pulsos de alta corrente com ...
Diodes Incorporated
Tensão: 45 V
... Os tipos BCX51, BCX52 e BCX53 da CENTRAL SEMICONDUCTOR são transístores de silício PNP fabricados pelo processo planar epitaxial, moldados em epóxi num invólucro de montagem em superfície, concebidos para aplicações de ...
Central Semiconductor
Tensão: 60 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL BCV47 é um transistor de silicone NPN Darlington fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações que requerem um ganho extremamente ...
Central Semiconductor
Tensão: 60, 80 V
... O CMLT3820G da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um transístor NPN de VCE(SAT) muito baixo, concebido para aplicações em que as dimensões reduzidas e a eficiência são os principais requisitos. Embalado num pacote de montagem em superfície SOT-563 ...
Central Semiconductor
Corrente: 50 mA
Tensão: 30 V
... Os CMPFJ175 e CMPFJ176 da CENTRAL SEMICONDUCTOR são JFETs de canal P moldados em epóxi fabricados numa caixa SOT-23, concebidos para aplicações de amplificadores de baixo nível. CÓDIGOS DE MARCAÇÃO: CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X CMPFJ177: 6Y ...
Central Semiconductor
Corrente: 5 A
Tensão: 40 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMPP6027 e CMPP6028 são transistores unidirecionais programáveis de silício, fabricados em um pacote SOT-23 de montagem superficial, projetados para características ajustáveis (programáveis) ...
Central Semiconductor
Corrente: 200 mA
Tensão: 40, 60 V
... O CMLM0405 da CENTRAL SEMICONDUCTOR é um transístor NPN simples e um díodo Schottky embalado numa caixa SOT-563 que poupa espaço e foi concebido para aplicações de uso geral de pequenos sinais em que o tamanho e a eficiência operacional ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 A
Tensão: 25, 40, 6 V
... digitais, pagers, PDAs, PCs portáteis, etc. CARACTERÍSTICAS - Dispositivo de chip duplo - Transístor e retificador Schottky de alta corrente (1.0A) - Transístor NPN de baixa VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A MAX) - Retificador ...
Central Semiconductor
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