Transistor NPN CTLM1034-M832D
de potênciaem silíciodíodo Schottky

Transistor NPN - CTLM1034-M832D - Central Semiconductor - de potência / em silício / díodo Schottky
Transistor NPN - CTLM1034-M832D - Central Semiconductor - de potência / em silício / díodo Schottky
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Características

Tipo
NPN
Tipo
de potência
Outras características
em silício, díodo Schottky
Corrente

1 A

Tensão

6 V, 25 V, 40 V

Descrição

O CTLM1034-832D da CENTRAL SEMICONDUCTOR consiste num transístor NPN de baixo VCE(SAT) e num retificador Schottky de baixo VF. Embalado numa caixa de montagem em superfície de 3x2 mm, pequena, termicamente eficiente e sem chumbo, foi concebido para aplicações em que as dimensões reduzidas, a eficiência operacional e o baixo consumo de energia são os principais requisitos. Devido ao seu design de embalagem sem chumbo, este dispositivo é capaz de dissipar até 4 vezes a potência de dispositivos semelhantes em embalagens de montagem em superfície de tamanho comparável. CÓDIGO DE MARCAÇÃO: CFC APLICAÇÕES - Circuitos de comutação - Conversores DC / DC - Iluminação de fundo de LCD - Aplicações de equipamentos portáteis / alimentados por bateria, incluindo telemóveis, câmaras digitais, pagers, PDAs, PCs portáteis, etc. CARACTERÍSTICAS - Dispositivo de chip duplo - Transístor e retificador Schottky de alta corrente (1.0A) - Transístor NPN de baixa VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A MAX) - Retificador Schottky de baixa VF (550mV @ 1.0A MAX) - Elevada relação potência/área de implantação de 275mW por mm2 (dissipação de potência do pacote / área de superfície do pacote) - Pequeno encapsulamento TLM 3x2mm para montagem em superfície sem chumbo - Dispositivo complementar: CTLM1074-M832D

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