Evaporador a vácuo para eletrônica LTE

para canhão de elétrons

Visão geral
A LEYBOLD OPTICS LTE series é uma solução de evaporação long‑throw concebida para criar estruturas em escala nanométrica e processos de metalização por lift‑off. Projetada para aplicações em semicondutores e I&D, permite deposições direcionais quase perpendiculares com elevada uniformidade.

Principais benefícios

• Qualidade de revestimento ótima: deposições de alta precisão em wafers estruturados com minimização de sombreamento para padrões 3D avançados.
• Serviço e expertise: respaldo do know‑how Leybold Optics / Bühler em tecnologia de filmes finos e suporte global.
• Flexibilidade: evaporação de metais e óxidos, suporte a vários tamanhos de wafer e grande capacidade de material; solução totalmente personalizável.

Características principais

• Geometria long‑throw avançada com distância fonte‑cúpula de 1,3 m para melhor cobertura e fidelidade de padrão.
• Cúpula e manuseio adaptáveis para até 6 × 150 mm (opção 200 mm sob pedido).
• Combinação de canhão de elétrons e fonte de plasma para Plasma‑Impulse Atomic Deposition (PIAD), melhorando adesão e controlo da espessura.
• Sistema de deposição perpendicular de precisão projetado para ângulos quase perpendiculares e uniformidade direcional.

Processo de lift-off / metalização

• Deposição física em fase vapor (PVD)
• Revestimento com fotorresiste
• Deposição de filme fino padronizado
• Lift‑off metálico

Aplicações

• Fabricação de semicondutores
• Microeletrónica e optoelectrónica
• I&D e produção piloto que exigem patterning nanométrico

Serviços e treinamentos
Instalação, suporte de processo, manutenção e formação de operadores disponíveis para integrar a série LTE em ambientes de produção e I&D.

Características / especificações técnicas

• Família de produtos: LEYBOLD OPTICS LTE series
• Tecnologia: evaporação long‑throw (PVD) com suporte a canhão de elétrons + plasma (PIAD)
• Distância fonte‑cúpula: 1,3 m
• Capacidade de substrato: até 6 × 150 mm (opção 200 mm sob pedido)
• Tamanhos de wafer suportados: 1–6 polegadas padrão; 8 e 12 polegadas sob pedido
• Materiais: metais (lift‑off) e óxidos; adequado para grandes volumes de material
• Geometria de deposição: deposição direcional quase perpendicular para minimizar sombreamento
• Principais aplicações: fabricação de semicondutores, micro-/optoeletrónica, I&D