Testador de alta tensão FTI-1000 Wafer HV

de corrente alternadaCCpara equipamento elétrico

Visão geral do produto O FTI‑1000 Wafer HV é um sistema ATE em nível de wafer projetado para testes de alta cobertura de dispositivos discretos de potência e tecnologias wide‑bandgap. A variante Wafer HV fornece fontes DC e AC de alta tensão e destina‑se a aplicações probe single‑site com requisitos de até 6 kV DC e 5,5 kV AC.

Razões para escolher

• Configuração flexível — Arquitetura modular Tester‑per‑Channel Board que permite recursos independentes e expansão escalável
• Cobertura elétrica abrangente — Suporta testes paramétricos DC e AC necessários para caracterização de MOSFETs e dispositivos de potência
• Controle por software acessível — FTI Studio facilita o bring‑up da probe‑card, desenvolvimento de programas de teste e debug para equipes de engenharia e produção

Visão detalhada O FTI‑1000 atende caracterização de engenharia e wafer sort de alto volume com recursos de teste DC e AC independentes capazes de medir parâmetros MOSFET chave: características DC, ΔVsd, comutação indutiva (UIL/UIS/CIS), carga de gate e resistência de gate. A arquitetura modular baseada em USB permite expansão simples e particionamento flexível de recursos para fluxos de trabalho probe single‑site e multisite. O sistema integra‑se com wafer probers automáticos e interfaces de probe‑card sem dependência de uma plataforma mecânica específica, apoiando desenvolvimento de processo, caracterização inicial e wafer sort em produção.

Recursos / Configurações

• Variantes: Wafer HV (alta tensão) e Wafer MV (média tensão)
• Número de sites de teste — Wafer HV: 1; Wafer MV: até 16
• Testes paramétricos DC — Rdson, Idon, Vce(sat), Vgs, Gfs, Igss, Idss, etc.
• Medidas de gate — Rg, Cg, Qg; opções Rg selecionáveis/encaixáveis (0, 10, 25, 50 Ω e R encaixável pelo usuário)
• Fontes AC — Wafer HV: 5,5 kV AC; Wafer MV: 1,2 kV AC
• Corrente de comutação AC — Wafer HV: até 200 A; Wafer MV: até 100 A
• Energia de avalanche — >10 J (ambas variantes)
• Opções de indutor de carga — indutores discretos encaixáveis ou caixa de indutores selecionável

Especificações técnicas

• Família de modelo: FTI‑1000 Wafer
• Aplicação primária: Testes em nível wafer para dispositivos discretos de potência e componentes wide‑bandgap
• Arquitetura: Tester‑per‑Channel Board modular, framework USB; escalável para aplicações probe single‑site e multisite
• Software: FTI Studio — bring‑up de probe‑card, desenvolvimento de programas de teste, captura de forma de onda, geração automática de data‑sheet, schmoo plotting, análise PAT AEC‑Q001 Rev. C
• Tensão fonte DC — Wafer HV: 6 kV; Wafer MV: 1,2 kV
• Faixa de acionamento de corrente — Wafer HV: a partir de 10 mA; Wafer MV: a partir de 25 mA
• Corrente de comutação de pico — Wafer HV: até 200 A; Wafer MV: até 100 A
• IO digitais: Opção para 8 canais digitais independentes (IC Channel Board)
• Opções plug‑in: extensões de alta tensão, módulos de pulso de alta corrente, digitizers, medição de Rg baseada em LCR
• Dimensões físicas: Sistema 541 × 345 × 206 mm; fonte de alimentação 345 × 176 × 103 mm
• Setores alvo: Automotivo, industrial e dispositivos wide‑bandgap para desenvolvimento e produção