Fotodiodo de silício C30902EH

de avalanchede infravermelhoLiDAR

Visão geral
Os fotodiodos avalanche C30902EH da Excelitas são APDs de silício "reach-through" de grande área e alta velocidade, projetados para aplicações de baixa luminosidade que exigem ganhos típicos superiores a 100. Embalados em invólucros TO-18 modificados com janela de vidro plano, disponíveis em várias configurações TO-18 (vidro plano, lente esférica, light pipe e filtro de 905 nm). O diâmetro útil da superfície fotosensível é 0,5 mm.

Detalhes principais
A série C30902EH é fabricada com uma estrutura dupla-difundida "reach-through" que fornece alta responsividade entre 400 nm e 1000 nm e tempos de subida/descida extremamente rápidos. A responsividade é independente da frequência de modulação até tip. 800 MHz. O chip do detector é hermeticamente selado atrás de uma janela de vidro plano em um invólucro TO-18 modificado. A família também inclui uma variante APD capaz de fotão único (SPAD) (C30902SH) operável em modos Geiger e linear.

Características e benefícios

• APD de Si 0,5 mm em invólucro TO-18
• Alta eficiência quântica – 84% típico a 800 nm
• Baixo ruído à temperatura ambiente
• Alta responsividade – ganhos de avalanche internos >150
• Faixa de resposta espectral – 400 a 1100 nm
• Resposta temporal – tip. 0,4 ns
• Ampla faixa de temperatura de operação -40°C a +85°C

Aplicações

• Medidas LiDAR / Time-of-Flight (ToF)
• Reflectômetro óptico no domínio do tempo (OTDR)
• Fluorescência de pequeno sinal
• Varredura a laser

Especificações técnicas

• Área ativa: 0,2 mm²
• Diâmetro ativo: 0,5 mm
• Tensão de ruptura: Tip. 225 V
• Capacitância: 1,5 pF
• Coeficiente de temperatura: Tip. 0,7 V/°C
• Corrente de escuro: 7 nA
• Ruído de escuro: 0,1 pA/√Hz
• Potência equivalente de ruído: 1,23 fW/√Hz
• Responsividade típica: 80 A/W a 800 nm
• Ganho recomendado: 150
• Pacote: TO-18, janela plana