Fotodiodo de avalanche C30683

InGaAs

Visão geral
A série C30683 integra um fotodiodo de avalanche (APD) e um amplificador transimpedância (TIA) de alta velocidade em um invólucro hermético TO-8 para detecção de luz extremamente fraca. Os modelos suportam APDs de silício e InGaAs, oferecem largura de banda do sistema até 450 MHz, baixo NEP e saída diferencial para sistemas ópticos e de medição exigentes.

Notas principais do produto

• Termistor integrado para monitoramento da temperatura do APD e compensação da alimentação de alta tensão, mantendo ganho estável.
• Opções de APD: Silício (C30737, 500 µm) e InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm).
• Números de peça típicos: C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH.

Características

• APD integrado com primeiro estágio de ganho em invólucro TO-8 hermético
• Escolha de detectores Silício ou InGaAs
• Largura de banda do sistema até 450 MHz (dependendo do modelo)
• Capacidade de carga 50 Ω AC (acoplagem AC)
• Tensão de alimentação do amplificador: +3,3 V
• Saída diferencial para rejeição de ruído

Aplicações

• LiDAR e medição de alcance
• Comunicações ópticas em espaço livre
• Detecção em condições de luz extremamente baixa e instrumentação analítica
• Sensoriamento distribuído de temperatura (DTS)
• Microscopia confocal e equipamentos de teste fotônico

Especificações técnicas

• Série: C30683
• Invólucro: TO-8 hermético com APD integrado e primeiro estágio de ganho
• Opções APD & tamanhos típicos: Silício (C30737, 500 µm); InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm)
• Responsividade: até 550 kV/W (900 nm) ou 120 kV/W (1550 nm), dependendo do modelo
• NEP: até 37 fW/√Hz (dependendo do modelo)
• Largura de banda do sistema: até 450 MHz (dependendo do modelo)
• Capacidade de carga: 50 Ω AC (acoplagem AC)
• Alimentação do amplificador: +3,3 V
• Saída: Diferencial
• Monitoramento de temperatura: termistor integrado para compensação de temperatura do APD