O Conductor Etch System M-600/6000 Series é direccionado para a gravura profunda de trincheiras de silício de dispositivos de energia utilizados em sistemas móveis, aparelhos eléctricos domésticos, automóveis, comboios, etc.
A tecnologia de gravação a baixa temperatura e a tecnologia TM (Time Modulation), juntamente com a fonte de plasma de alta densidade ECR (Electron Cyclotron Resonance), proporcionam um processo limpo, perfis de valas superiores sem resíduos de paredes laterais, e uma excelente produtividade.
Diâmetro do wafer aplicável: 150mm, 200mm
Configuração do sistema: 2 etch+ 2 ash (máx.)
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