Sistema de preparação de amostras automático IM5000

para SEMde polimento com feixe de íonsde resfriamento

Visão geral
Os sistemas de fresagem por íons Hitachi IM4000II e IM5000 oferecem preparação de amostras de precisão para microscopia eletrônica de varredura (SEM) e técnicas de análise de superfície relacionadas. Adequados para metais, semicondutores, polímeros, cerâmicas e materiais multicamada, fornecem secções transversais e superfícies planas com mínimos artefactos. Projetados para pesquisa, controlo de qualidade industrial e laboratórios de ciência dos materiais, ambos os modelos garantem resultados repetíveis e rendimento elevado para aplicações SEM avançadas.

Principais características

• Alta taxa de fresagem: remoção rápida de material em substratos duros.
• Modos de fresagem em secção e plana: processamento flexível para vários tipos de amostra.
• Arrefecimento criogénico (opcional): protege materiais sensíveis à temperatura.
• Interface amigável: controlo por ecrã tátil e ciclos programáveis.
• Compatibilidade SEM/AFM: integração com microscópios Hitachi e de terceiros; Air protection Holder Unit disponível.

Funcionalidades e benefícios

• Rendimento: IM4000II ≈ 500 μm/h (Si, protuberância 100 μm); IM5000 ≥ 1 mm/h (mesmas condições) para reduzir tempos de preparação.
• Versatilidade: fresagem em secção produz superfícies lisas sem distorção; fresagem plana remove artefactos de superfície útil para EBSD.
• Fresagem de grande área (IM5000): permite fresagem uniforme até 10 mm de largura para componentes eletrónicos e amostras industriais de grande dimensão.
• Opção criogénica: controlo de temperatura (0°C a −100°C via LN2) para preservar polímeros, amostras biológicas e materiais sensíveis ao calor.
• Controlo do feixe: irradiação intermitente programável (ciclos ON/OFF) e tensão de aceleração ajustável para materiais sensíveis ao feixe.
• Integração de fluxo de trabalho: compatibilidade com SEM Hitachi e sistemas de terceiros; máscaras e suportes opcionais para transferências inertes e maior tolerância ao feixe.

Aplicações

• Metais e ligas — análise microestrutural e secções transversais.
• Baterias — secções transversais de eléctrodos e componentes em camadas.
• Eletrónica e semicondutores — exposição de camadas e interfaces em CI e dispositivos.
• Polímeros e materiais moles — preparação criogénica para evitar deformação.
• Filmes multicamada e revestimentos — estudos de composição e adesão.
• Materiais industriais duros — preparação de amostras para SEM e análises de superfície.

Especificações (resumo)
Gás utilizado : Ar (argão)
Tensão de aceleração : IM4000II 0–6 kV | IM5000 0–8 kV
Taxa máxima de fresagem (Si, protuberância 100 μm) : IM4000II ≈ 500 μm/h | IM5000 ≥ 1 mm/h
Largura máxima de fresagem : IM4000II não disponível | IM5000 até 10 mm
Tamanho máximo de amostra : 20 mm (L) × 12 mm (P) × 8 mm (A)
Alcance de movimento da amostra : X ±7 mm, Y 0 a +3 mm
Irradiação intermitente do feixe iónico : ON/OFF programável (1 s a 59 min 59 s)
Ângulo de oscilação : ±15°, ±30°, ±40°
Área de fresagem plana : φ 32 mm; tamanho máximo fresado φ 50 × 25 mm (A)
Velocidade de rotação : 1 rpm, 25 rpm
Intervalo de inclinação : 0° a 90°
Control de temperatura (opcional) : 0°C a −100°C via LN2

Especificações técnicas

• Gás: Argon (Ar).
• Tensão de aceleração: IM4000II 0–6 kV; IM5000 0–8 kV.
• Taxa de fresagem: IM4000II ≈ 500 μm/h; IM5000 ≥ 1 mm/h (Si, protuberância 100 μm).
• Fresagem de grande área: IM5000 até 10 mm; IM4000II não disponível.
• Tamanho máximo de amostra e dimensões de fresagem plana conforme acima.
• Irradiação intermitente programável e parâmetros do feixe ajustáveis para materiais sensíveis.
• Módulos opcionais: controlo de temperatura, máscaras de maior tolerância ao feixe, unidade de microscópio estéreo (15×–100×), Air protection Holder Unit e acessórios de montagem.