Chip de fotodíodo PHG1-D8-90LA-KB

Chip de fotodíodo - PHG1-D8-90LA-KB - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
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Características

Especificações
de fotodíodo

Descrição

112GBaud/200Gbps Chip PIN PD iluminado na parte inferior Introdução Este chip fotodiodo de 112GBaud 200Gbps, que é iluminado na parte inferior e estrutura de mesa, chip fotodiodo PIN de alta taxa de dados, com lente Φ90μm integrada na parte inferior do chip. Suas caraterísticas são alta largura de banda, alta responsividade, baixa capacitância, baixa corrente escura e excelente confiabilidade, aplicação de 980nm a 1650nm com comprimento de onda de fibra monomodo, com taxa de data de até 200Gbps de comprimento de onda longo recetor ótico. Caraterísticas 1. Lente Φ90μm integrada na parte inferior. 2. Estrutura de almofada de ligação terra-sinal-terra (GSG). 3. Corrente escura baixa. 4. Baixa capacitância. 5. Alta responsabilidade. 6. Alta largura de banda: 50GHz. 7. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% de testes e inspeção. 9. Compatível com RoHS2.0 (2011/65/EU). Aplicações 1. módulos ópticos 800G. 2. 1.módulos ópticos 6T.

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Catálogos

PHG1-D8-90LA-KB
PHG1-D8-90LA-KB
4 Páginas
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