Estufa de sublimação baSiC-T

de crescimento de cristaisde campânulaa gás

O sistema de transporte físico de vapor PVA TePla (pvt) baSiC-T foi especialmente concebido para o crescimento de cristais de carboneto de silício (SiC) por sublimação de uma fonte de pó a altas temperaturas. O projeto do sistema baSiC-T é baseado em um conceito modular e permite o uso de substratos (sementes) até 6´´ diâmetro. Forno de Crescimento de Cristal SiC PVT de Nova Geração Projetado para aplicações eletrônicas de potência alto nível de automação para massprodução Solução de Software de Gerenciamento Fab disponível dimensões reduzidas, colocação compacta Disponível para 4´´ e 6´´ Aquecimento indutivo usando projetos de bobinas comprovados em campo Baixo consumo de energia (aprox. 10KW @ 2.200 °C controle estável) Conceito de carga/descarga móvel para zona quente Sistema de Controle Superior com operação intuitiva em um alto nível de automação visualização do processo com características de tendência melhoradas solução de configuração de receitas offline com muitas opções de receitas por conjuntos de parâmetros registro de dados de processo de longo prazo, recuperação de dados de longo prazo o sistema de controlo e a visulização funcionam de forma independente (conceito de segurança) malhas de controle do sistema configuráveis por conjuntos de parâmetros Excelente conceito de segurança Conformidade CE diferentes níveis de componentes de segurança do sistema garantem uma operação segura medições de qualidade e documentação de qualidade ampliada Cooperação estreita com clientes, institutos e fornecedores de componentes