Máquina de corte a fio GC-800XC
para silício monocristalinode wafercom software de controle

Máquina de corte a fio - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - para silício monocristalino / de wafer / com software de controle
Máquina de corte a fio - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - para silício monocristalino / de wafer / com software de controle
Máquina de corte a fio - GC-800XC - Qingdao Gaoce Technology Co., Ltd. - para silício monocristalino / de wafer / com software de controle - imagem - 2
Guardar nos favoritos
Comparar

Características

Tecnologia
a fio
Material trabalhado
para silício monocristalino
Formato das peças de trabalho
de wafer
Tipo de controle
com software de controle
Aplicações
para a indústria de microeletrônica
Outras características
automática, de alta precisão, de alto rendimento
Curso X

MÍN: 315 mm
(12,4 in)

MÁX: 455 mm
(17,91 in)

Altura máxima de corte

950 mm
(37,4 in)

Velocidade de corte

2.600 m/min

Comprimento total

5.110 mm
(201 in)

Largura total

MÍN: 166 mm
(7 in)

MÁX: 230 mm
(9 in)

Altura

3.275 mm
(129 in)

Peso

12.500 kg
(27.557,78 lb)

Descrição

Introdução do produto
Equipamento destinado à etapa de corte na fabricação de wafers de silício cristalino, lançado em novembro de 2024. O design com entre-eixos pequeno e ajustável acomoda vários formatos de wafer/bastão (16X / 18X / 210 / 220 / 230 mm) e responde às necessidades das novas células (HJT, TOPCon), como maiores dimensões, lâminas mais finas, meias células e wafers retangulares.

Principais características
O GC-800XC adota uma nova disposição da área de corte com capacidade máxima de carga de lingote de silício de 950 mm. A configuração de corte permite modos de entre-eixos multietapas em 315 mm – 370 mm – 400 mm – 455 mm a uma velocidade de fio de até 2600 m/min. Um sistema de guiamento de fio leve e de alta precisão reduz flutuações de tensão; a tensão adicionada na máquina é < 1 N e a taxa global de rompimento de fio é < 5 %. Suporta corte estável com diâmetros de fio de 18 μm e abaixo, tem baixo consumo energético e reserva múltiplas interfaces de automação para controlo de produção inteligente e baseado em dados.

Parâmetros do produto
Tamanho do lingote de silício: □166 ~ □230 × LMax.950 mm (compatível com meia wafer)
Velocidade máxima de linha: 2600 m/min
Entre-eixos: 315 ~ 455 mm
Capacidade de armazenamento (fio): 240 km
Dimensões do equipamento (aprox.): 5110 × 2481 × 3275 mm
Peso do equipamento (aprox.): 12.500 kg

Especificações técnicas
  • Nome do modelo: GC-800XC
  • Aplicação: etapa de corte para fabricação de wafers de silício cristalino
  • Capacidade máxima de carga do lingote: 950 mm
  • Tamanhos suportados: □166 ~ □230; suporta 16X/18X/210/220/230 mm e meia wafer
  • Velocidade do fio (máx.): 2600 m/min
  • Modos de entre-eixos: multietapa 315 mm – 370 mm – 400 mm – 455 mm
  • Tensão adicionada na máquina: < 1 N
  • Taxa global de rompimento do fio: < 5 %
  • Capacidade de diâmetro do fio: corte estável a 18 μm e abaixo
  • Capacidade de armazenamento (fio): 240 km
  • Dimensões do equipamento (aprox.): 5110 × 2481 × 3275 mm
  • Peso do equipamento (aprox.): 12.500 kg
  • Características: sistema de guiamento de fio leve e de alta precisão, baixo consumo energético, interfaces de automação para produção inteligente e controlo orientado por dados
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.