Chanfradeira elétrica GC-TD804

de mesade precisãopara wafers

Introdução do produto
Esta máquina destina-se ao chanframento de bordas de wafers de carboneto de silício. É compatível com wafers de 4, 6 e 8 polegadas e suporta o processamento da face OF. Está disponível opcionalmente a função de usinagem de ranhura NOTCH. O sistema apresenta dupla estação de trabalho para manter fluxo contínuo e operação estável.

Parâmetros do produto (tabela)
Tamanho e peso do host: 2.250 (L) * 1.650 (W) * 2.600 (H) mm; 3.000 kg
Tamanho do wafer: 4 / 6 / 8 pol.
Espessura do wafer: 300 μm–1.500 μm
Estação de trabalho: Estação dupla
Forma da superfície de referência do wafer: OF / Notch (Notch opcional)
Tamanho do equipamento: 2.250 (W) * 1.650 (D) * 2.600 (H) mm
Precisão eixos X/Y/Z: ±1 μm
Precisão do plano das ventosas cerâmicas: ≤3 μm
Precisão axial e radial do fuso da mesa de retificação: ±1 μm
Precisão axial e radial do fuso da rebolo: ±1 μm
Diâmetro exterior do rebolo: Φ202 mm
Diâmetro interior de montagem do rebolo: Φ30 mm
Espessura do rebolo: 20 mm
Velocidade do rebolo: 0–4.000 r/min (conforme pedido do cliente)
Velocidade do rebolo Notch: 0–100.000 r/min (conforme pedido do cliente)
Tipos de rebolo: T, R, TT, RR, TR, etc.
Medição de espessura do wafer (sem contato ou por contato): repetibilidade ±2 μm; ponto de medição: centro
Método de limpeza: limpeza rotativa
Método de secagem: secagem centrífuga
Seção de carregamento/descarregamento: caixas: 4; ranhuras: 25 (ajustáveis)

Características / Especificações técnicas

• Aplicação: chanframento para wafers de carboneto de silício, compatível com 4/6/8 pol.
• Funções opcionais: processamento da face OF, ranhura NOTCH opcional
• Arranjo de dupla estação para suportar carregamento/descarregamento contínuo
• Precisão: eixos X/Y/Z ±1 μm; planicidade das ventosas cerâmicas ≤3 μm
• Rebolo: Ø202 mm diâmetro exterior, Ø30 mm furo de montagem, 20 mm espessura
• Faixas de velocidade configuráveis: rebolo 0–4.000 r/min; rebolo Notch até 100.000 r/min
• Medição de espessura: ponto central, repetibilidade ±2 μm
• Processo: limpeza rotativa e secagem centrífuga após retificação
• Carregamento/descarregamento: 4 caixas com 25 ranhuras ajustáveis