Sistema de posicionamento XY 786001:002.26

verticallinearpara manipulação de wafers

XY alinhamento theta das máscaras de exposição UV | Sistema de posicionamento de alta precisão para exposição de wafer em atmosfera seca de azoto Montagens de precisão 786001:002.26 XY theta alinhamento de máscaras de exposição UV | Sistema de posicionamento de alta precisão para exposição de wafer em atmosfera seca de azoto - Conjuntos de precisão µm alinhamento para microestruturação em condições extremas Este sistema de máscara de 3 eixos é especialmente desenvolvido para o alinhamento de alta precisão de máscaras de exposição para litografia UV. Este sistema de posicionamento tem três eixos lineares com desenho cinemático paralelo: dois em X e um em Y. Os dois eixos verticais geram tanto o curso vertical (movimento igual) como a rotação (movimento oposto). Assim, permite o posicionamento linear e rotacional de alta precisão de máscaras na gama de nanómetros sob radiação ultravioleta, bem como em atmosferas de azoto ultra-seco. Exposição a pastilhas UV de alta precisão - Ideal para litografia EUV de alta resolução e automatizada - Alinhamento de máscaras de exposição até 0,03 µrad em teta XY altamente fino - Adequado tanto para atmosfera UV como ultra-seca, isenta de oxigénio e azoto puro - Minimização da radiação dispersa devido ao conceito integrado de lubrificação e revestimento - Conceito de manutenção flexível e integrado, em que o sistema é movido lateralmente para fora do eixo óptico em Opcionalmente expansível: - Vários trajectos transversais - Selecção do material e lubrificação adaptada à aplicação - Soluções individuais para integração na aplicação específica do cliente - Versão para sala limpa ISO 14644-1 (até à classe 1 a pedido)