Visão geral MOSFET de canal N 40 V (D-S) em tecnologia TrenchFET® Gen IV projetado para aplicações de comutação de potência e inversores.
Principais características
TrenchFET® Gen IV nível padrão
Projeto High Vth para reduzir ruído e melhorar a estabilidade do gate
Relação Qgd / Qgs otimizada para comutação eficiente
Documentação
Ficha técnica — MOSFET de canal N 40 V (D-S) (SIR5402DP)
Informações de marcação — detalhes para variantes PowerPAK® e PowerPAIR®
Padrão de PAD — PADs mínimos recomendados para PowerPAK® SO-8 Single
Nota de aplicação AN821 — montagem e considerações térmicas para PowerPAK® SO-8
Informações de bobina — dados de embalagem em reel
Informações de fita — especificações de tape para PowerPAK® SOIC-8
Informações de pacote — desenhos e detalhes para PowerPAK® SO-8 (Single/Dual)
Confiabilidade do pacote — dados de testes ambientais e de pacote para o processo de soldagem PowerPAK® SO-8
Confiabilidade do produto — dados de confiabilidade do processo 530MC SG
Guia de seleção — MOSFETs para soluções de alimentação de servidores AI
Notas adicionais
Modelos ECAD disponíveis para download (Ultra Librarian)
Links Comprar / Solicitar amostra disponíveis na página do produto
Especificações
Modelo: SIR5402DP
Tipo de dispositivo: MOSFET de canal N
Tensão dreno-fonte (VDS): 40 V (D-S)
Processo / tecnologia: TrenchFET® Gen IV (nível padrão)
Destaques de projeto: High Vth para reduzir ruído; relação Qgd / Qgs otimizada
Opções de encapsulamento: PowerPAK® SO-8 e múltiplas variantes PowerPAK® / PowerPAIR® (ver documentação)
Documentação típica: ficha técnica, marcação, recomendações PAD/landpattern, nota de aplicação montagem/térmica, informações reel/tape, desenhos de pacote, dados de confiabilidade, guia de seleção
Referência da página de produto Vishay: 61684
Catálogos
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