MOSFET SIR5402DP

MOSFET - SIR5402DP - VISHAY
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Descrição

Visão geral
MOSFET de canal N 40 V (D-S) em tecnologia TrenchFET® Gen IV projetado para aplicações de comutação de potência e inversores.

Principais características
  • TrenchFET® Gen IV nível padrão
  • Projeto High Vth para reduzir ruído e melhorar a estabilidade do gate
  • Relação Qgd / Qgs otimizada para comutação eficiente


Documentação
  • Ficha técnica — MOSFET de canal N 40 V (D-S) (SIR5402DP)
  • Informações de marcação — detalhes para variantes PowerPAK® e PowerPAIR®
  • Padrão de PAD — PADs mínimos recomendados para PowerPAK® SO-8 Single
  • Nota de aplicação AN821 — montagem e considerações térmicas para PowerPAK® SO-8
  • Informações de bobina — dados de embalagem em reel
  • Informações de fita — especificações de tape para PowerPAK® SOIC-8
  • Informações de pacote — desenhos e detalhes para PowerPAK® SO-8 (Single/Dual)
  • Confiabilidade do pacote — dados de testes ambientais e de pacote para o processo de soldagem PowerPAK® SO-8
  • Confiabilidade do produto — dados de confiabilidade do processo 530MC SG
  • Guia de seleção — MOSFETs para soluções de alimentação de servidores AI


Notas adicionais
  • Modelos ECAD disponíveis para download (Ultra Librarian)
  • Links Comprar / Solicitar amostra disponíveis na página do produto


Especificações
  • Modelo: SIR5402DP
  • Tipo de dispositivo: MOSFET de canal N
  • Tensão dreno-fonte (VDS): 40 V (D-S)
  • Processo / tecnologia: TrenchFET® Gen IV (nível padrão)
  • Destaques de projeto: High Vth para reduzir ruído; relação Qgd / Qgs otimizada
  • Opções de encapsulamento: PowerPAK® SO-8 e múltiplas variantes PowerPAK® / PowerPAIR® (ver documentação)
  • Documentação típica: ficha técnica, marcação, recomendações PAD/landpattern, nota de aplicação montagem/térmica, informações reel/tape, desenhos de pacote, dados de confiabilidade, guia de seleção
  • Referência da página de produto Vishay: 61684

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