MOSFET SIR5402DP

Visão geral
MOSFET de canal N 40 V (D-S) em tecnologia TrenchFET® Gen IV projetado para aplicações de comutação de potência e inversores.

Principais características

• TrenchFET® Gen IV nível padrão
• Projeto High Vth para reduzir ruído e melhorar a estabilidade do gate
• Relação Qgd / Qgs otimizada para comutação eficiente

Documentação

• Ficha técnica — MOSFET de canal N 40 V (D-S) (SIR5402DP)
• Informações de marcação — detalhes para variantes PowerPAK® e PowerPAIR®
• Padrão de PAD — PADs mínimos recomendados para PowerPAK® SO-8 Single
• Nota de aplicação AN821 — montagem e considerações térmicas para PowerPAK® SO-8
• Informações de bobina — dados de embalagem em reel
• Informações de fita — especificações de tape para PowerPAK® SOIC-8
• Informações de pacote — desenhos e detalhes para PowerPAK® SO-8 (Single/Dual)
• Confiabilidade do pacote — dados de testes ambientais e de pacote para o processo de soldagem PowerPAK® SO-8
• Confiabilidade do produto — dados de confiabilidade do processo 530MC SG
• Guia de seleção — MOSFETs para soluções de alimentação de servidores AI

Notas adicionais

• Modelos ECAD disponíveis para download (Ultra Librarian)
• Links Comprar / Solicitar amostra disponíveis na página do produto

Especificações

• Modelo: SIR5402DP
• Tipo de dispositivo: MOSFET de canal N
• Tensão dreno-fonte (VDS): 40 V (D-S)
• Processo / tecnologia: TrenchFET® Gen IV (nível padrão)
• Destaques de projeto: High Vth para reduzir ruído; relação Qgd / Qgs otimizada
• Opções de encapsulamento: PowerPAK® SO-8 e múltiplas variantes PowerPAK® / PowerPAIR® (ver documentação)
• Documentação típica: ficha técnica, marcação, recomendações PAD/landpattern, nota de aplicação montagem/térmica, informações reel/tape, desenhos de pacote, dados de confiabilidade, guia de seleção
• Referência da página de produto Vishay: 61684