Sistema de medição efeito Hall DX-1000T

de concentricidadede resistividadepara semicondutor

Este sistema de instrumentos é composto por: eletroíman, fonte de alimentação do eletroíman, fonte de corrente constante de alta precisão, voltímetro de alta precisão, medidor de Gauss, suporte de amostras de efeito Hall, amostra padrão, Dewar de alta e baixa temperatura, controlador de temperatura e software do sistema. Materiais testáveis: - Materiais semicondutores: SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe e materiais de ferrite, etc; - Materiais de baixa impedância: grafeno, metais, óxidos transparentes, materiais semicondutores fracamente magnéticos, materiais TMR, etc; - Materiais de alta resistência: GaAs semi-isolante, GaN, CdTe, etc. Indicadores técnicos - Campo magnético: o passo de 10 mm é 2T, o passo de 30 mm é 1T; - Corrente de amostragem: 0,05uA~50mA (ajuste 0,1nA); - Tensão de medição: 0,1uV~30V; - Fornecer vários materiais padrão de teste, silício e arsenieto de gálio de vários níveis (sensibilidade e precisão diferentes); - Resolução mínima: 0.1GS; - Gama de campos magnéticos: 0-1T; - Cooperar com o medidor de gauss ou com a placa de aquisição digital para comunicar com o computador; - Medição da curva I-V e da curva I-R, etc; - Curvas de alteração de parâmetros como o coeficiente Hall e a concentração de portadores com a temperatura; - Gama de resistividade: 10-7~1012 Ohm*cm; - Gama de resistência: 10 m Ohms~ 6MOhms; - Concentração de portadores: 103~1023cm-3; - Mobilidade: 0,1~108cm2/volt*sec; - Ajuste de temperatura 0,1K; - Zona de temperatura: 77K-470K; - Teste totalmente automatizado, processamento com uma tecla; - Pode ser efectuada uma medição contínua entre a mesma diferença de temperatura. Parâmetros de cada componente: Eletroíman de alta precisão - Diâmetro do pólo 100mm;