Disco cerâmico

de nitreto de alumíniode isolamento

Com as suas propriedades de isolamento elétrico e excelente condutividade térmica, a cerâmica de nitreto de alumínio (AlN) é ideal para aplicações em que é necessária a dissipação de calor. Além disso, uma vez que oferece um coeficiente de expansão térmica (CTE) próximo do do silício e uma excelente resistência ao plasma, é utilizada para componentes de equipamento de processamento de semicondutores. Boas propriedades mecânicas, maior resistência à flexão do que as cerâmicas Al2O3 e BeO, resistência a altas temperaturas e à corrosão.Baixa expansão térmica e resistência a choques térmicos.Caraterísticas ópticas e acústicas especiais.PropriedadesValorCor Cinza EscuroConteúdo Principal96%ALNDensidade Bruta(g/cm3)3.335Absorção de Água0.00Resistência Flexural(MPa)382.70Constante dielétrica(1MHz)8.56Coeficiente de Expansão Térmica Linear(/℃，5℃/min, 20-300℃)2.805*10-6Condutividade Térmica(30 graus Celsius)>=170Durabilidade Química(mg/cm2)0.97Resistência ao Choque TérmicoSem rachadurasResistividade de Volume(Ω.cm) (20 graus Celsius)1.4*1014Resistência Dielétrica(KV/mm)18.45Rugosidade da superfície Ra (μm) 0,3-0,5Câmara (comprimento ‰） <=2 ‰Moldagem por injeção de cerâmicaMoldagem por injeção de baixa pressãoMoldagem por injeção isostática a frioPrensa secaFundição de fitaProcessamento de usinagem de precisãoDissipadores de calor de cerâmica AlN para sistema de alta potênciaCrucifixo AlN, prato de evaporação Al e outras peças resistentes à corrosão de alta temperatura.Substratos de cobre de ligação direta (DBC)Barra de cerâmica AlNBalacha de cerâmica AlNSubstrato de cerâmica AlNAquecedor de cerâmica AlNForma personalizadaComponentes para equipamento de semicondutoresEmbalagem ICSubstrato de módulo térmicoSubstrato de módulo de transístor de alta potênciaSubstrato de dispositivo de alta frequênciaPlaca de isolamento térmico para módulos de tiristoresLaser semicondutor, substrato fixo para díodo emissor de luz （LED)Módulo integrado híbrido, módulo de dispositivo de igniçãoUtilizado na sinterização de cerâmicas estruturaisCaldeirão de AlN para fusão de metais e cigarros electrónicosAplicado a materiais luminososAplicado ao material de substratoO nitreto de alumínio (AlN) tem uma largura de banda direta máxima de 6.2eV, que tem uma eficiência de conversão fotoeléctrica mais elevada do que um semicondutor de bandgap indireto. Como importante material luminescente azul e ultravioleta, o AlN é utilizado em díodos emissores de luz ULTRAVIOLETA/ultravioleta profundo, díodos laser ultravioleta e detectores ultravioleta. Além disso, o AlN pode formar soluções sólidas contínuas com compostos de nitreto do grupo III, como o GaN e o InN, e as suas ligas de três ou quatro elementos podem atingir um intervalo de banda sintonizável contínuo desde a banda visível até à banda ultravioleta profunda, tornando-o um importante material luminescente de alto desempenho. Em comparação com os substratos de safira ou SiC, o AlN tem maior compatibilidade térmica e química com o GaN e menor tensão entre o substrato e a camada epitaxial. Por conseguinte, o cristal de AlN como substrato epitaxial de GaN pode reduzir grandemente a densidade de defeitos no dispositivo, melhorar o desempenho do dispositivo e tem uma boa perspetiva de aplicação na preparação de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frequência e alta potência. Além disso, o substrato de material epitaxial de AlGaN com cristal de AlN como componente de alto teor de Al pode reduzir eficazmente a densidade de defeitos na camada epitaxial de nitreto e melhorar grandemente o desempenho e a vida útil dos dispositivos semicondutores de nitreto.Especificação regular do substrato cerâmico ALN:Comprimento e largura: 25,4mm; 50,8mm; 63,5mm; 76,2mm; 101,6mm; 114,3mm; 127mm; 152,4mm.Espessura: 0,25mm; 0,5mm; 0,63mm; 1mm; 1,5mm; 2mm.Boas propriedades mecânicasMaior resistência à flexão do que as cerâmicas Al2O3 e BeOResistência a altas temperaturas e à corrosãoAlta condutividade térmica com bom isolamento eléctricoEstabilidade excecional com sais fundidosEstabilidade térmica até 1500°CBaixa expansão térmica e resistência ao choque térmicoCaracterísticas ópticas e acústicas especiaisCor: Cinzento EscuroConteúdo principal: 96%ALNDensidade aparente: 3.335 g/cm³Absorção de água: 0.00Resistência à flexão: 382,70 MPaConstante dielétrica: 8,56 (1MHz)Coeficiente de expansão térmica linear: 2,805*10^-6 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)Condutividade térmica: ≥170 (30°C)Durabilidade química: 0,97 mg/cm²Resistência ao choque térmico: Sem rachadurasResistividade de volume: 1,4*10^14 Ω.cm (20°C)Resistência dielétrica: 18,45 KV/mmRugosidade da superfície Ra: 0,3-0,5 μmCâmara (comprimento ‰): ≤2‰