概要本CuWサブマウントは高出力LDモジュール向けのヒートシンクとして設計されています。LDの精密アライメント、シャープエッジ、反り(warpage)の制御により効率的な熱伝導を実現します。LD接合部へのAuSn蒸着時の余剰はんだも制御可能です。
特長材料組成:W90/Cu10
熱伝導率:170 W/m・K
熱膨張係数(CTE):6.5 ppm/℃
寸法/公差長さ:下記の標準仕様を参照してください
幅:下記の標準仕様を参照してください
厚さ:下記の標準仕様を参照してください
表面粗さ:Ra <0.4
反り:≤ 5.0 μm
エッジR:≥ 20.0 μm
メタライゼーション全面:Ni 1.0–5.0 μm / Au 0.1–0.3 μm
AuSnはんだ組成:Au75/Sn25 (wt%)
厚さ:5 μm ±1 μm
オプション- 材料選択(W80/Cu20)
- スパッタ膜の追加(Ti、Pt、Au 等)
- 追加構造(穴、段付、形状カスタム)
標準仕様(単位:mm)長さ(±0.05):10.6
幅(±0.05):2.0、3.0、4.0、5.6
厚さ(±0.02):0.20、0.25、0.30、0.40
対象市場/用途産業用レーザー- 溶接、切断、マーキング、表面処理(例:アニーリング)用レーザー装置
- 医療用レーザー装置(眼科、脱毛)および内視鏡
半導体デジタル機器技術仕様- 材料組成:W90/Cu10(オプション W80/Cu20)
- 熱伝導率:170 W/m・K
- CTE:6.5 ppm/℃
- 表面粗さ:Ra <0.4
- 反り:≤ 5.0 μm
- エッジR:≥ 20.0 μm
- メタライゼーション:Ni 1.0–5.0 μm / Au 0.1–0.3 μm(全面)
- AuSnはんだ組成:Au75/Sn25 (wt%)
- AuSnはんだ厚さ:5 μm ±1 μm
- 標準長さ:10.6 mm(±0.05)
- 標準幅:2.0、3.0、4.0、5.6 mm(±0.05)
- 標準厚さ:0.20、0.25、0.30、0.40 mm(±0.02)