エッジ研磨研削ホイール

面取り円筒形ダイアモンドメタルボンド

化合物半導体ウェーハ(SiC/GaN他)用面取りホール 【製作可能範囲】 　粒度仕様　：　#400〜#3000　　※複合粒度も可能です 　外　径　　：　〜202D　 　内　径　　：　H6公差（他の公差はご相談ください） 　動バランス：　≧0.1g ＠Min. 　溝形形状　：　公差≧0.5度 　溝段数　　：　〜10溝（溝形状によっては10溝以上も可能） チッピングの発生率、加工ダメージを抑えるために、独自の砥粒管理を行ったダイヤモンドを使用。 耐摩耗性に優れたボンドの採用により、ホイール形状の寸法維持性が高く、長寿命です。 低炭素社会における省電力化の流れにおいて、パワーデバイスの基板となる化合物半導体ウェーハの生産は着実な伸びが期待されています。その鍵となるのがウェーハの加工コストで、その面取り加工においてもダイヤモンド工具の寿命向上が重要。チッピングを抑えてホイールライフの長寿命化が必要です。 ホイールの長寿命化は、工具の切り替えタクトの短縮、総使用コストの削減等のメリットにつながります。当社のメタルボンド面取りホイールは、SiC（シリコンカーバイド)）や GaN（窒化ガリウム）ウェーハ加工用に最適化しており、チッピングを抑え、かつ長寿命を実現します。 切れ味が良く、コストパフォーマンスに優れた電着面取りホイールもご提供致します。