MOSFET SIR5402DP
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詳細
概要
TrenchFET® Gen IV 技術の Nチャネル 40 V（D-S）MOSFET。電力スイッチングやインバータ用途を想定したデバイスです。
主な特長
ドキュメント
追加の製品メモ
仕様
TrenchFET® Gen IV 技術の Nチャネル 40 V（D-S）MOSFET。電力スイッチングやインバータ用途を想定したデバイスです。
主な特長
- TrenchFET® Gen IV 標準レベル MOSFET
- ノイズ低減およびゲート安定性向上のための High Vth 設計
- 効率的なスイッチングのために最適化された Qgd / Qgs 比
ドキュメント
- データシート — Nチャネル 40 V（D-S）MOSFET（SIR5402DP）
- 部品マーキング情報 — PowerPAK® および PowerPAIR® のマーキング詳細（複数バリアント）
- PAD パターン — PowerPAK® SO-8 Single の推奨最小 PAD
- アプリケーションノート AN821 — PowerPAK® SO-8 の実装および熱に関する考慮事項
- リール情報 — リール梱包データ
- テープ情報 — PowerPAK® SOIC-8 用テープ情報
- パッケージ情報 — PowerPAK® SO-8（Single/Dual）図面と詳細
- パッケージ信頼性 — PowerPAK® SO-8 はんだプロセスに関する環境およびパッケージ試験データ
- 製品信頼性 — 530MC SG プロセステクノロジーの信頼性データ
- セレクタガイド — AI サーバ電源向け MOSFET 選定ガイド
追加の製品メモ
- ECAD モデル（Ultra Librarian）をダウンロード可能
- 製品ページにて「Buy Now / Request Sample」リンクあり
仕様
- 型番：SIR5402DP
- デバイスタイプ：Nチャネル MOSFET
- ドレイン-ソース電圧（VDS）：40 V（D-S）
- プロセス / 技術：TrenchFET® Gen IV（標準レベル）
- 設計上のポイント：ノイズ低減のための High Vth、最適化された Qgd / Qgs 比
- パッケージオプション：PowerPAK® SO-8 および複数の PowerPAK® / PowerPAIR® バリアント（パッケージ文書参照）
- 代表的な提供ドキュメント：データシート、マーキング、PAD/ランドパターン推奨、実装/熱に関するアプリノート、リール/テープ情報、パッケージ図面、信頼性データ、選定ガイド
- Vishay 製品ページ ID 参照：61684
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*価格には税、配送費、関税また設置・作動のオプションに関する全ての追加費用は含まれておりません。表示価格は、国、原材料のレート、為替相場により変動することがあります。
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