MOSFET SIR5402DP

概要
TrenchFET® Gen IV 技術の Nチャネル 40 V（D-S）MOSFET。電力スイッチングやインバータ用途を想定したデバイスです。

主な特長

• TrenchFET® Gen IV 標準レベル MOSFET
• ノイズ低減およびゲート安定性向上のための High Vth 設計
• 効率的なスイッチングのために最適化された Qgd / Qgs 比

ドキュメント

• データシート — Nチャネル 40 V（D-S）MOSFET（SIR5402DP）
• 部品マーキング情報 — PowerPAK® および PowerPAIR® のマーキング詳細（複数バリアント）
• PAD パターン — PowerPAK® SO-8 Single の推奨最小 PAD
• アプリケーションノート AN821 — PowerPAK® SO-8 の実装および熱に関する考慮事項
• リール情報 — リール梱包データ
• テープ情報 — PowerPAK® SOIC-8 用テープ情報
• パッケージ情報 — PowerPAK® SO-8（Single/Dual）図面と詳細
• パッケージ信頼性 — PowerPAK® SO-8 はんだプロセスに関する環境およびパッケージ試験データ
• 製品信頼性 — 530MC SG プロセステクノロジーの信頼性データ
• セレクタガイド — AI サーバ電源向け MOSFET 選定ガイド

追加の製品メモ

• ECAD モデル（Ultra Librarian）をダウンロード可能
• 製品ページにて「Buy Now / Request Sample」リンクあり

仕様

• 型番：SIR5402DP
• デバイスタイプ：Nチャネル MOSFET
• ドレイン-ソース電圧（VDS）：40 V（D-S）
• プロセス / 技術：TrenchFET® Gen IV（標準レベル）
• 設計上のポイント：ノイズ低減のための High Vth、最適化された Qgd / Qgs 比
• パッケージオプション：PowerPAK® SO-8 および複数の PowerPAK® / PowerPAIR® バリアント（パッケージ文書参照）
• 代表的な提供ドキュメント：データシート、マーキング、PAD/ランドパターン推奨、実装/熱に関するアプリノート、リール/テープ情報、パッケージ図面、信頼性データ、選定ガイド
• Vishay 製品ページ ID 参照：61684